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Tese (Doutorado)
Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN) (1999)
Lima, Alexandre Pimenta; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, EFEITO MOSSBAUER
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ABNT
LIMA, Alexandre Pimenta. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Lima, A. P. (1999). Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Lima AP. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Lima AP. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Artigo de periodico
Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination (1999)
Santos, A. M. dos; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SANTOS, A. M. dos et al. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 775-778, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034. Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Santos, A. M. dos, Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1999). Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 775-778. doi:10.1590/s0103-97331999000400034
NLM
Santos AM dos, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 775-778.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034
Vancouver
Santos AM dos, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 775-778.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034
Trabalho de evento-resumo
Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais (1999)
Lino, Antonio Tadeu; Enders Neto, Bernhard; Moreira, Marcos Dionizio; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Beliaev, Dmitri
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LINO, Antonio Tadeu et al. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Lino, A. T., Enders Neto, B., Moreira, M. D., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Beliaev, D. (1999). Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lino AT, Enders Neto B, Moreira MD, Leite JR, Scolfaro LMR, Beliaev D. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Lino AT, Enders Neto B, Moreira MD, Leite JR, Scolfaro LMR, Beliaev D. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method (1999)
Ramos, L. E.; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RAMOS, L. E. e LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Ramos, L. E., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ramos LE, Leite JR, Scolfaro LMR. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Ramos LE, Leite JR, Scolfaro LMR. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study (1999)
Castineira, Jose Luis Petricelli; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli et al. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A. ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Artigo de periodico
Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field (1999)
Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Santos, M. T. dos; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Kvon, Z. D.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor et al. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 727-729, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022. Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Santos, M. T. dos, Gusev, G. M., Leite, J. R., & Kvon, Z. D. (1999). Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 727-729. doi:10.1590/s0103-97331999000400022
NLM
Choque NMS, Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Kvon ZD. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 727-729.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022
Vancouver
Choque NMS, Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Kvon ZD. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 727-729.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022
Artigo de periodico
Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering (1999)
Silveira, E.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999Tradução . . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Silveira, E., Tabata, A., Leite, J. R., Trentin, R., Lemos, V., Frey, T., et al. (1999). Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, 75( 23), 3602-3604.
NLM
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2024 ago. 17 ]
Artigo de periodico
Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072
NLM
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Artigo de periodico
Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN (1999)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Tabata, A.; Castineira, J. L. P.; As, D. J.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 541-545, 1999Tradução . . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Ramos, L. E., Tabata, A., Castineira, J. L. P., & As, D. J. (1999). Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, 216( 1), 541-545.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2024 ago. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Phonon modes of zinc blende 'In IND.X''Ga IND.1-X'N alloy (1999)
Lino, Antonio Tadeu; Leite, J. R.; Santos, A. M. dos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, Antonio Tadeu et al. Phonon modes of zinc blende 'In IND.X''Ga IND.1-X'N alloy. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Santos, A. M. dos, & Scolfaro, L. M. R. (1999). Phonon modes of zinc blende 'In IND.X''Ga IND.1-X'N alloy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lino AT, Leite JR, Santos AM dos, Scolfaro LMR. Phonon modes of zinc blende 'In IND.X''Ga IND.1-X'N alloy. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Santos AM dos, Scolfaro LMR. Phonon modes of zinc blende 'In IND.X''Ga IND.1-X'N alloy. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices (1999)
Rodrigues, S. C. P.; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1999). Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Hole subbands of p-type doped (311)-grown heterostructures (1999)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S. C. P.; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Hole subbands of p-type doped (311)-grown heterostructures. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1999). Hole subbands of p-type doped (311)-grown heterostructures. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole subbands of p-type doped (311)-grown heterostructures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole subbands of p-type doped (311)-grown heterostructures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Artigo de periodico
Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates (1999)
Tabata, A.; Martini, S.; Quivy, A. A.; Ceschin, Artemis Marti; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667. Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Tabata, A., Martini, S., Quivy, A. A., Ceschin, A. M., & Leite, J. R. (1999). Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 405-411. doi:10.1006/spmi.1998.0667
NLM
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Vancouver
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Artigo de periodico
Shubnikov-de Haas oscillations in a nonplanar two-dimensional electron gas (1999)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Bykov, A. A.; Moshegov, N. T.; Kudryashev, V. M.; Toporov, A. I.; Nastaushev, Yu V.
Source: Semiconductor Science Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Shubnikov-de Haas oscillations in a nonplanar two-dimensional electron gas. Semiconductor Science Technology, v. 14, n. 12, p. 1114-1118, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/12/318. Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Leite, J. R., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., Kudryashev, V. M., et al. (1999). Shubnikov-de Haas oscillations in a nonplanar two-dimensional electron gas. Semiconductor Science Technology, 14( 12), 1114-1118. doi:10.1088/0268-1242/14/12/318
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toporov AI, Nastaushev YV. Shubnikov-de Haas oscillations in a nonplanar two-dimensional electron gas [Internet]. Semiconductor Science Technology. 1999 ; 14( 12): 1114-1118.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/12/318
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toporov AI, Nastaushev YV. Shubnikov-de Haas oscillations in a nonplanar two-dimensional electron gas [Internet]. Semiconductor Science Technology. 1999 ; 14( 12): 1114-1118.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/12/318
Artigo de periodico
Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field (1999)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Bykov, A. A.; Moshegov, N. T.; Kudryashev, V. M.; Toropov, A. I.; Nastaushev, Yu V.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 711-714, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018. Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Leite, J. R., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., Kudryashev, V. M., et al. (1999). Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 711-714. doi:10.1590/s0103-97331999000400018
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toropov AI, Nastaushev YV. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 711-714.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toropov AI, Nastaushev YV. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 711-714.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018
Relatorio tecnico
Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, Americo; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Schikora, D; Schottker, B; Kohler, U; As, D J; Lischka, K
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf. Acesso em: 17 ago. 2024. , 1999
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Artigo de periodico
Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces (1999)
Alves, H. W. Leite; Alves, J. L. A.; Nogueira, R. A.; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
ALVES, H. W. Leite et al. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 817-822, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044. Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (1999). Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 817-822. doi:10.1590/s0103-97331999000400044
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 817-822.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 817-822.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044
Artigo de periodico
Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schikora, D.; Schottker, B.; Kohler, U.; As, D. J.; Lischka, K.
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005. Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2024 ago. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Trabalho de evento-resumo
Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N (1999)
Lemos, Voila; Silveira, Edilson; Leite, J. R.; Tabata, Americo; Trentin, R.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LEMOS, Voila et al. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 17 ago. 2024.
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (1999). Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 17 ]

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