Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN) (1999)
- Authors:
- Autor USP: LIMA, ALEXANDRE PIMENTA - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; EFEITO MOSSBAUER
- Language: Português
- Imprenta:
- Data da defesa: 19.04.1999
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ABNT
LIMA, Alexandre Pimenta. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. . Acesso em: 10 out. 2024. -
APA
Lima, A. P. (1999). Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Lima AP. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999 ;[citado 2024 out. 10 ] -
Vancouver
Lima AP. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999 ;[citado 2024 out. 10 ]
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