Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe (1993)
- Authors:
- Autor USP: LIMA, ALEXANDRE PIMENTA - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FEP
- Subjects: FILMES FINOS; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho descrevemos detalhadamente o sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular (molecular beam epitaxy-mbe) do laboratorio de novos materiais semicondutores do ifusp, bem como o modelo de crescimento do 'GA''AS' por esta tecnica. Utilizamos a tecnica de caracterizacao in situ de difracao de eletrons de alta energia (reflection high - energy electron diffraction - rheed) para calibracao do sistema e para o estudo do crescimento de amostras de 'GA''AS' foi realizado utilizando-se as tecnicas de microscopia optica e microscopia eletronica de varredura (sem). Alem da identificacao dos defeitos predominantes na superficie das amostras crescidas (defeito oval tipo beta) verificamos que, para o nosso sistema, nao existe uma relacao evidente da densidade de defeitos ovais e a temperatura da celula de galio. Foram ainda crescidas amostras de pocos quanticos 'AL IND.X''GA IND. 1-X''AS'/'GA''AS'/'AL IND.X''GA IND.1-X''AS', variando-se tres diferentes parametros de crescimento, para a otimizacao desta estrutura, que sao taxa de crescimento, temperatura de crescimento e interrupcao do crescimento nas interfaces. Estas estruturas podem ser consideradas de boa qualidade, como demonstram os espectros de fotoluminescencia, onde as larguras de linha a meia altura (fwhm) sao de aproximadamente 6 mev para pocos de larguras de 50 a e 70 a, para transicoes envolvendo exciton
- Imprenta:
- Data da defesa: 30.06.1993
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ABNT
LIMA, Alexandre Pimenta. Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 04 out. 2024. -
APA
Lima, A. P. (1993). Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Lima AP. Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe. 1993 ;[citado 2024 out. 04 ] -
Vancouver
Lima AP. Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe. 1993 ;[citado 2024 out. 04 ]
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