Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N (1999)
- Authors:
- Lemos, Voila - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Silveira, Edilson
- Leite, J. R.
- Tabata, Americo - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Trentin, R.
- Frey, T. - Universität Paderborn (UP)
- As, D. J. - Universität Paderborn (UP)
- Schikora, D. - Universität Paderborn (UP)
- Lischka, K. - Universität Paderborn (UP)
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste
-
ABNT
LEMOS, Voila et al. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 18 nov. 2024. -
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (1999). Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 18 ] -
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 18 ] - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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