Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0268-1242/14/4/005
- Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IOP Publishing
- Publisher place: Bristol
- Date published: 1999
- Source:
- Título do periódico: Semiconductor Science and Technology
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
TABATA, A.; LIMA, A. P.; LEITE, J. R.; et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, Bristol, IOP Publishing, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999. DOI: 10.1088/0268-1242/14/4/005. -
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005 -
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322. -
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322. - Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
- Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces
- Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method
- Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0268-1242/14/4/005 (Fonte: oaDOI API)
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