Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering (1999)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999
-
ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025. -
APA
Silveira, E., Tabata, A., Leite, J. R., Trentin, R., Lemos, V., Frey, T., et al. (1999). Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, 75( 23), 3602-3604. -
NLM
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 01 ] -
Vancouver
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 01 ] - Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v
- Efeitos de distorcao e relaxacao na entropia de formacao da vacancia de silicio
- Entropia de formacao de defeitos intrinsecos em silicio
- Atomic and electronic structures of the gan (100, 110, 111) surfaces
- Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces
- Lattice dynamics of boron nitride
- Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors
- Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping
- Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn
- Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas