Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET (2008)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2008
- Source:
- Título: SBMICRO 2008: Anais
- ISSN: 1938-5862
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO
-
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 10 jan. 2026. -
APA
Santos, C. D. G. dos. (2008). Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society. -
NLM
Santos CDG dos. Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2026 jan. 10 ] -
Vancouver
Santos CDG dos. Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2026 jan. 10 ] - TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs
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