Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication (2005)
- Authors:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2005
- Source:
- Título do periódico: Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO
-
ABNT
GARCIA, B.; ESTRADA, M.; ALBERTIN, Katia Franklin; PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2005. -
APA
Garcia, B., Estrada, M., Albertin, K. F., & Páez Carreño, M. N. (2005). Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. In Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington: The Electrochemical Society. -
NLM
Garcia B, Estrada M, Albertin KF, Páez Carreño MN. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ; -
Vancouver
Garcia B, Estrada M, Albertin KF, Páez Carreño MN. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ; - Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD
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