Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication (2005)
- Authors:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2005
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO
-
ABNT
GARCIA, B. et al. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. 2005, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2005. . Acesso em: 15 jun. 2025. -
APA
Garcia, B., Estrada, M., Albertin, K. F., & Páez Carreño, M. N. (2005). Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. In Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington: The Electrochemical Society. -
NLM
Garcia B, Estrada M, Albertin KF, Páez Carreño MN. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2025 jun. 15 ] -
Vancouver
Garcia B, Estrada M, Albertin KF, Páez Carreño MN. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication. Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2025 jun. 15 ] - Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process
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