Phosphorus implantation on near stoichiometric a-SIC:H films (2002)
- Authors:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2002
- ISBN: 1-56677-328-8
- Source:
-
ABNT
OLIVEIRA, A. R. e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Phosphorus implantation on near stoichiometric a-SIC:H films. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Oliveira, A. R., & Paez Carreño, M. N. (2002). Phosphorus implantation on near stoichiometric a-SIC:H films. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society. -
NLM
Oliveira AR, Paez Carreño MN. Phosphorus implantation on near stoichiometric a-SIC:H films. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2025 dez. 29 ] -
Vancouver
Oliveira AR, Paez Carreño MN. Phosphorus implantation on near stoichiometric a-SIC:H films. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2025 dez. 29 ] - Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process
- Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication
- Software de simulação e visualização dos processos de microfabricação em superfície para sistemas micro-opto-eletro-mecânico (MOEMS)
- Ferramentas de visualização dinâmica para software de visualização e simulação de processos de microfabricação
- Ferramentas gráficas para desenho de estruturas complexas em software de visualização e simulação de processos de microfabricação
- Filmes de carbeto de silício de alto gap óptico obtidos pela técnica de PECVD
- In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films
- Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD
- Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD
- Visualização atomística em processos de corrosão anisotrópica de silício
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
