Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces (2001)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1389336
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MICROSCOPIA ELETRÔNICA; ESTRUTURA ELETRÔNICA; FOTOLUMINESCÊNCIA; SUPERFÍCIE FÍSICA; TERMODINÂMICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 90, n. 5, p. 2280-2289, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MARTINI, S. et al. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2280-2289, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389336. Acesso em: 29 set. 2024. -
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2001). Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2280-2289. doi:10.1063/1.1389336 -
NLM
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2024 set. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336 -
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2024 set. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336 - Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1389336 (Fonte: oaDOI API)
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