The influence of process parameters on the electrical bahavior of silicon oxide thin films deposited by PECVD-TEOS (2001)
- Authors:
- USP affiliated authors: MORIMOTO, NILTON ITIRO - EP ; SILVA, ANA NEILDE RODRIGUES DA - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: SBMicro 2001: proceedings
- Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging
-
ABNT
SILVA, Ana Neilde Rodrigues da e MORIMOTO, Nilton Itiro e BONNAUD, Olivier. The influence of process parameters on the electrical bahavior of silicon oxide thin films deposited by PECVD-TEOS. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Silva, A. N. R. da, Morimoto, N. I., & Bonnaud, O. (2001). The influence of process parameters on the electrical bahavior of silicon oxide thin films deposited by PECVD-TEOS. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro. -
NLM
Silva ANR da, Morimoto NI, Bonnaud O. The influence of process parameters on the electrical bahavior of silicon oxide thin films deposited by PECVD-TEOS. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 29 ] -
Vancouver
Silva ANR da, Morimoto NI, Bonnaud O. The influence of process parameters on the electrical bahavior of silicon oxide thin films deposited by PECVD-TEOS. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 29 ] - Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature
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