Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces (2000)
- Authors:
- Autor USP: SILVA, ANA NEILDE RODRIGUES DA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho estudamos o processo de deposição de filmes finos de óxido de silício por PECVD, tendo TEOS como fonte de silício. A influência da concentração de oxigênio excitado tanto nos mecanismos de reação como nas características físicas eelétricas dos óxidos depositados foram estudadas. O programa ANSYS, foi utilizado para a simulação do comportamento do fluxo gasoso no interior da câmara de deposição. No processo de deposição dos filmes de óxido de silício, os mecanismos deadsorsão de espécies ativas e de dessorção de subprodutos da superfície do substrato, controlam a taxa de reação. Observamos que, nos processos de deposição com excesso de oxigênio excitado, o mecanismo de dessorção de espécies da superfície éfavorecido e a taxa de deposição diminui. O resultado é um filme de óxido de silício de boa qualidade ('NÚMERO DE CARGAS EFETIVAS' = 1.5E10 'cm POT.-1', 'CAMPO DE RUPTURA DO ÓXIDO' = 11 MV/cm, 'CORRENTE DE FUGA' = 5 pA). Por outro lado, nosprocessos de deposição com baixa produção de oxigênio excitado o mecanismo de adsorsão de espécies ativas é favorecido e a taxa de deposição aumenta. Como resultado, obtemos um filme de óxido de silício com alta taxa de incorporação desubprodutos de reação.
- Imprenta:
- Data da defesa: 14.04.2000
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ABNT
SILVA, Ana Neilde Rodrigues da. Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces. 2000. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-094437/pt-br.php. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Silva, A. N. R. da. (2000). Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-094437/pt-br.php -
NLM
Silva ANR da. Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces [Internet]. 2000 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-094437/pt-br.php -
Vancouver
Silva ANR da. Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces [Internet]. 2000 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-094437/pt-br.php - Estudo da formação do siliceto de titânio obtido pela reação de filmes finos de titânio com silício policristalino e com silício amorfo
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