Estudo do comportamento do carbono como impureza aceitadora nas ligas 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N IND.X' e 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N em função da composição X (2000)
- Authors:
- USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
MARQUES, Marcelo et al. Estudo do comportamento do carbono como impureza aceitadora nas ligas 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N IND.X' e 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N em função da composição X. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 16 out. 2024. -
APA
Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., & Leite, J. R. (2000). Estudo do comportamento do carbono como impureza aceitadora nas ligas 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N IND.X' e 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N em função da composição X. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Leite JR. Estudo do comportamento do carbono como impureza aceitadora nas ligas 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N IND.X' e 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N em função da composição X. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 16 ] -
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Leite JR. Estudo do comportamento do carbono como impureza aceitadora nas ligas 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N IND.X' e 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N em função da composição X. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 16 ] - Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos
- Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon
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- Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'
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- Influence of composition fluctuations and strain on gap bowing in 'In IND.X''Ga IND.1-X'N
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