A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente (1999)
- Authors:
- Autor USP: GALEAZZO, ELISABETE - EP
- Unidade: EP
- Assunto: DISPOSITIVOS ÓPTICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: 7.SICUSP : resumos
- Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo
-
ABNT
BELTRAN, A. e GALEAZZO, Elisabete. A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente. 1999, Anais.. São Paulo: USP, 1999. . Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Beltran, A., & Galeazzo, E. (1999). A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente. In 7.SICUSP : resumos. São Paulo: USP. -
NLM
Beltran A, Galeazzo E. A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente. 7.SICUSP : resumos. 1999 ;[citado 2026 fev. 13 ] -
Vancouver
Beltran A, Galeazzo E. A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente. 7.SICUSP : resumos. 1999 ;[citado 2026 fev. 13 ] - Caracterização das ligações químicas superficiais do silício poroso por FTIR
- Obtenção do silício poroso em áreas seletivas
- Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas
- Sensores de campo magnético compatíveis com circuitos integrados
- A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom)
- Caracterização elétrica de camadas de silício poroso
- Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process
- The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom)
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