A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente (1999)
- Autores:
- Autor USP: GALEAZZO, ELISABETE - EP
- Unidade: EP
- Assunto: DISPOSITIVOS ÓPTICOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: 7.SICUSP : resumos
- Nome do evento: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo
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ABNT
BELTRAN, A. e GALEAZZO, Elisabete. A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente. 1999, Anais.. São Paulo: USP, 1999. . Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Beltran, A., & Galeazzo, E. (1999). A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente. In 7.SICUSP : resumos. São Paulo: USP. -
NLM
Beltran A, Galeazzo E. A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente. 7.SICUSP : resumos. 1999 ;[citado 2024 mar. 28 ] -
Vancouver
Beltran A, Galeazzo E. A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente. 7.SICUSP : resumos. 1999 ;[citado 2024 mar. 28 ] - Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados
- A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom)
- Caracterização das ligações químicas superficiais do silício poroso por FTIR
- Obtenção do silício poroso em áreas seletivas
- Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas
- Magneto-sensor diferencial
- Analysis of porous silicon devices for gas sensors
- Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process
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- The influence of chemical species on photoluminescence of porous silicon. (em CD-Rom)
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