Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas (2000)
- Authors:
- Autor USP: GALEAZZO, ELISABETE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Português
- Abstract: O silício poroso (PS) fotoluminescente é um material promissor para aplicações em optoeletrônica. Sua elevada área superficial e reatividade química favorece sua utilização como material sensor e, através de formação seletiva em silício, como camada sacrificial na fabricação de microeletromecanismos. Este trabalho apresenta a obtenção de monocamadas e multicamadas de PS caracterizadas estruturalmente por gravimetria, espectroscopia Raman, microscopia eletrônica de varredura e microscopia de força atômica. São analisadas as alterações das ligações químicas superficiais por meio da espectroscopia de infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) em função de processos de envelhecimento e de tratamentos químicos. A evolução da fotoluminescência é correlacionada com as caracterizações FTIR com o objetivo de auxiliar no esclarecimento do mecanismo básico de emissão de luz do PS. As alterações das propriedades elétricas de dispositivos à base de PS oxidado, submetidos a ambientes saturados com moléculas polares e apolares são caracterizadas através das medidas de impedância e capacitância. O mecanismo de condução elétrica do PS em ambientes saturados com moléculas polares é relacionado com o transporte de portadores de carga através de estados localizados na superfície do PS. Para obtenção de PS seletivo durante as anodizações foram implementados processos de deposição de óxido espesso e implantação iônica de hidrogênio. O óxido desilício espesso foidepositado por "plasma enhanced chemical vapour deposition", no entanto, limita o tempo de anodização e induz estresse na interface entre Si e óxido de silício. A implantação de íons de hidrogênio associada a um processo de recozimento adequado foi utilizada pela primeira vez com o intuito de bloquear a anodização. Foram obtidas camadas de PS seletivas e isotrópicas.
- Imprenta:
- Data da defesa: 22.11.2000
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ABNT
GALEAZZO, Elisabete. Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas. 2000. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112024-160620/pt-br.php. Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Galeazzo, E. (2000). Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112024-160620/pt-br.php -
NLM
Galeazzo E. Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas [Internet]. 2000 ;[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112024-160620/pt-br.php -
Vancouver
Galeazzo E. Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas [Internet]. 2000 ;[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112024-160620/pt-br.php - Caracterização das ligações químicas superficiais do silício poroso por FTIR
- A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente
- Obtenção do silício poroso em áreas seletivas
- Sensores de campo magnético compatíveis com circuitos integrados
- A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom)
- Caracterização elétrica de camadas de silício poroso
- Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process
- The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom)
- Caracterizacao da estrutura do silicio poroso
- Transducao magneto eletrica com tecnologia cmos
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