Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd (1992)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, MARIA LUCIA PEREIRA DA - EP ; ESCOTE, ADOLFO TSUYAMA - EP ; SHIBATA, NEWTON YOSHIYUKI - EP ; MORIMOTO, NILTON ITIRO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Cbecimat: Anais
- Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais
-
ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da et al. Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Silva, M. L. P. da, Cardoso, A. R., Morimoto, N. I., Escote, A. T., Shibata, N. Y., & Matsumura, W. T. (1992). Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd. In Cbecimat: Anais. Campinas: Unicamp. -
NLM
Silva MLP da, Cardoso AR, Morimoto NI, Escote AT, Shibata NY, Matsumura WT. Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2025 dez. 30 ] -
Vancouver
Silva MLP da, Cardoso AR, Morimoto NI, Escote AT, Shibata NY, Matsumura WT. Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2025 dez. 30 ] - Construcao e desenvolvimento de um equipamento integrado para a deposicao de oxidos de silicio
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