Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides (2004)
- Autores:
- Autores USP: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1590/s0103-97332004000400041
- Assuntos: FÍSICA; MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA; EFEITO MOSSBAUER
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc
-
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400041 -
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041 -
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041 - Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos
- Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon
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Informações sobre o DOI: 10.1590/s0103-97332004000400041 (Fonte: oaDOI API)
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