Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF ; CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0038-1098(85)90064-x
- Assunto: FÍSICA
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.53, p.841-4, 1985
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x -
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x -
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
- Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
- Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
- Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon
- Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium
- Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields
- Estrutura eletronica de impurezas em germanio
- Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices
- Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon
- Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem
Informações sobre o DOI: 10.1016/0038-1098(85)90064-x (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
