Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF ; CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0038-1098(85)90064-x
- Assunto: FÍSICA
- Idioma: Português
- Fonte:
- Título do periódico: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.53, p.841-4, 1985
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x -
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x -
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0038-1098(85)90064-x (Fonte: oaDOI API)
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