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Trabalho de evento
A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor (1998)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Fonte: SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor. 1998, Anais.. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1998). A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor. In SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Study of CF4+H2 plasma surface modification of PMMA for plastic waveguides processing (1998)
Bartoli, Julio Roberto; Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Costa, Ricardo Aurélio da; Castro, Sandra C de; Martins, Oswaldo L. B.; Leone Filho, Raul
Fonte: ICMP 98: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BARTOLI, Julio Roberto et al. Study of CF4+H2 plasma surface modification of PMMA for plastic waveguides processing. 1998, Anais.. São Paulo: Novodisc, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Bartoli, J. R., Mansano, R. D., Verdonck, P. B., Paez Carreño, M. N., Costa, R. A. da, Castro, S. C. de, et al. (1998). Study of CF4+H2 plasma surface modification of PMMA for plastic waveguides processing. In ICMP 98: proceedings. São Paulo: Novodisc.
NLM
Bartoli JR, Mansano RD, Verdonck PB, Paez Carreño MN, Costa RA da, Castro SC de, Martins OLB, Leone Filho R. Study of CF4+H2 plasma surface modification of PMMA for plastic waveguides processing. ICMP 98: proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Bartoli JR, Mansano RD, Verdonck PB, Paez Carreño MN, Costa RA da, Castro SC de, Martins OLB, Leone Filho R. Study of CF4+H2 plasma surface modification of PMMA for plastic waveguides processing. ICMP 98: proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures (1998)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Fonte: SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. 1998, Anais.. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1998). The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. In SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC.
NLM
Bellodi M, Martino JA. The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films (1998)
Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Faria, Roberto Mendonça ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Fonte: SBMicro - ICMP'98 : proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidades: EP, IFSC
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, ESPECTROSCOPIA, BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
DIRANI, Ely Antonio Tadeu et al. Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films. 1998, Anais.. Curitiba: LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Dirani, E. A. T., Faria, R. M., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (1998). Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films. In SBMicro - ICMP'98 : proceedings. Curitiba: LACTRO/LAC.
NLM
Dirani EAT, Faria RM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films. SBMicro - ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Dirani EAT, Faria RM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Raman spectroscopy and AFM analisys of low temperature µc-Si:H films. SBMicro - ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes (1998)
Simões, Eliphas Wagner; Mansano, Ronaldo Domingues ; Furlan, Rogério ; Verdonck, Patrick Bernard
Fonte: XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIMÕES, Eliphas Wagner et al. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. 1998, Anais.. Curitiba: s. ed, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Simões, E. W., Mansano, R. D., Furlan, R., & Verdonck, P. B. (1998). Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. In XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. Curitiba: s. ed.
NLM
Simões EW, Mansano RD, Furlan R, Verdonck PB. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Simões EW, Mansano RD, Furlan R, Verdonck PB. Microfluidic amplifiers fabricated in silicon using fluorine based plasma etching processes. XIII SBMicro-ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Effect of the substrate potential drop in accumulation-mode SOI pMOSFETs subthreshold slope (1998)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio
Fonte: SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. Effect of the substrate potential drop in accumulation-mode SOI pMOSFETs subthreshold slope. 1998, Anais.. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1998). Effect of the substrate potential drop in accumulation-mode SOI pMOSFETs subthreshold slope. In SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC.
NLM
Pavanello MA, Martino JA. Effect of the substrate potential drop in accumulation-mode SOI pMOSFETs subthreshold slope. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. Effect of the substrate potential drop in accumulation-mode SOI pMOSFETs subthreshold slope. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Optimization of the twin gate SOI MOSFET (1998)
Hoashi, P T; Martino, João Antonio
Fonte: SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HOASHI, P T e MARTINO, João Antonio. Optimization of the twin gate SOI MOSFET. 1998, Anais.. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Hoashi, P. T., & Martino, J. A. (1998). Optimization of the twin gate SOI MOSFET. In SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC.
NLM
Hoashi PT, Martino JA. Optimization of the twin gate SOI MOSFET. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Hoashi PT, Martino JA. Optimization of the twin gate SOI MOSFET. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Effective transmission and parameter optimization of a twisted nematic liquid crystal display (1998)
Vuolo, José Henrique; Mammana, Alaide Pellegrini
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VUOLO, José Henrique e MAMMANA, Alaide Pellegrini. Effective transmission and parameter optimization of a twisted nematic liquid crystal display. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Microeletronica, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Vuolo, J. H., & Mammana, A. P. (1998). Effective transmission and parameter optimization of a twisted nematic liquid crystal display. In Proceedings. São Paulo: Sociedade Brasileira de Microeletronica.
NLM
Vuolo JH, Mammana AP. Effective transmission and parameter optimization of a twisted nematic liquid crystal display. Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Vuolo JH, Mammana AP. Effective transmission and parameter optimization of a twisted nematic liquid crystal display. Proceedings. 1998 ;[citado 2025 nov. 16 ]

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