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Trabalho de evento-resumo
Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' (1995)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structures (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Saito, M; Leite, J. R.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 267-72, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Saito, M., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, 35, 267-72. doi:10.1016/0921-5107(95)01340-7
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engeneering B. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 nov. 2025. , 1995
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento (1995)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1995). Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS' (1995)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ENDERLEIN, R et al. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 396-400, 1995Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Dias, I. F. L. (1995). Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B, 35, 396-400.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 396-400.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 396-400.[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon (1995)
Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications, v. 93, p. 469-9, 1995Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1995). Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications, 93, 469-9.
NLM
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications. 1995 ;93 469-9.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications. 1995 ;93 469-9.[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras (1995)
Ramos, L. E.; Scolfaro, L M R
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RAMOS, L. E. e SCOLFARO, L M R. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. 1995, Anais.. São Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1995). Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. In Resumos. São Paulo: Usp.
NLM
Ramos LE, Scolfaro LMR. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Ramos LE, Scolfaro LMR. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures (1995)
Enderlein, R; Beliaev, D; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Physical Review B, v. 52, p. 2814-22, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Enderlein, R., Beliaev, D., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Physical Review B, 52, 2814-22. doi:10.1103/physrevb.52.2814
NLM
Enderlein R, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Leite JR. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52 2814-22.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814
Vancouver
Enderlein R, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Leite JR. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52 2814-22.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells (1995)
Tabata, A; Ceschin, A M; Scolfaro, L M R; Quivy, Alain André ; Silva, E C F; Enderlein, R; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Laureto, E; Meneses, E A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., Quivy, A. A., Silva, E. C. F., Enderlein, R., et al. (1995). Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study (1995)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., & Schikora, D. (1995). Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS' (1995)
Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, Alain André
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 250-5, 1995Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science & Engineering B, 35, 250-5. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
Vancouver
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, Alain André
Source: Materials Science and Engeneering B. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 nov. 2025. , 1995
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2025 nov. 27 ]

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