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  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de malha de captura de fase para um sistema de detecção de câncer de mama por micro-ondas (2025)

    Ponce Enriquez, David Alonso; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, NEOPLASIAS, MAMA

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    • ABNT

      PONCE ENRIQUEZ, David Alonso. Projeto de malha de captura de fase para um sistema de detecção de câncer de mama por micro-ondas. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08082025-084939/pt-br.php. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Ponce Enriquez, D. A. (2025). Projeto de malha de captura de fase para um sistema de detecção de câncer de mama por micro-ondas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08082025-084939/pt-br.php

    • NLM

      Ponce Enriquez DA. Projeto de malha de captura de fase para um sistema de detecção de câncer de mama por micro-ondas [Internet]. 2025 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08082025-084939/pt-br.php

    • Vancouver

      Ponce Enriquez DA. Projeto de malha de captura de fase para um sistema de detecção de câncer de mama por micro-ondas [Internet]. 2025 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08082025-084939/pt-br.php

  • Dissertação (Mestrado)

    Amplificador de baixo ruído de faixa larga em tecnologia CMOS (2024)

    Leopoldo, Leonardo Rodrigues; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: AMPLIFICADORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA)

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    • ABNT

      LEOPOLDO, Leonardo Rodrigues. Amplificador de baixo ruído de faixa larga em tecnologia CMOS. 2024. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-104959/pt-br.php. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Leopoldo, L. R. (2024). Amplificador de baixo ruído de faixa larga em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-104959/pt-br.php

    • NLM

      Leopoldo LR. Amplificador de baixo ruído de faixa larga em tecnologia CMOS [Internet]. 2024 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-104959/pt-br.php

    • Vancouver

      Leopoldo LR. Amplificador de baixo ruído de faixa larga em tecnologia CMOS [Internet]. 2024 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-104959/pt-br.php

  • Artigo de periodico

    Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SENSOR, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso e SASAKI, Kátia Regina Akemi e MARTINO, João Antonio. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2022). Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.626

    • NLM

      Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626

    • Vancouver

      Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS (2022)

    Amaral, Thiago Alves Mendes do; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador) ; Hernández Herrera, Hugo Daniel (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      AMARAL, Thiago Alves Mendes do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Amaral, T. A. M. do. (2022). Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/

    • NLM

      Amaral TAM do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/

    • Vancouver

      Amaral TAM do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)

    Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO

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    • ABNT

      ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/

    • NLM

      Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/

    • Vancouver

      Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/

  • Dissertação (Mestrado)

    Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi (2012)

    Oliveira, Alexandre Maniçoba de; Justo Filho, João Francisco (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, ANTENAS, RADAR

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alexandre Maniçoba de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Oliveira, A. M. de. (2012). Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/

    • NLM

      Oliveira AM de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/

    • Vancouver

      Oliveira AM de. Sistema transmissor CMOS de Radar UWB por varredura eletrônica com arranjo de antenas Vivaldi [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19072013-104922/

  • Dissertação (Mestrado)

    Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência (2010)

    Cabrera Salas, Dwight José; Vale Neto, José Vieira do (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, OSCILADORES

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    • ABNT

      CABRERA SALAS, Dwight José. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Cabrera Salas, D. J. (2010). Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/

    • NLM

      Cabrera Salas DJ. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/

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      Cabrera Salas DJ. Automação e otimização do projeto de um oscilador controlável por tensão para aplicações em rádio frequência [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21122010-132451/

  • Dissertação (Mestrado)

    Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (2010)

    Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      SANTOS, Sara Dereste dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Santos, S. D. dos. (2010). Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/

    • NLM

      Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/

    • Vancouver

      Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS (2010)

    Cabrera Riaño, Fabián Leonardo; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)

    Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      CABRERA RIAÑO, Fabián Leonardo. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Cabrera Riaño, F. L. (2010). Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/

    • NLM

      Cabrera Riaño FL. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/

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      Cabrera Riaño FL. Projeto de um sintetizador de frequência multipadrão em tecnologia CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03082016-093521/

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS (2010)

    Saldaña Pumarica, Julio César; Del Moral Hernandez, Emilio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: NEURÔNIOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      SALDAÑA PUMARICA, Julio César. Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-01032011-115940/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Saldaña Pumarica, J. C. (2010). Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-01032011-115940/

    • NLM

      Saldaña Pumarica JC. Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-01032011-115940/

    • Vancouver

      Saldaña Pumarica JC. Projeto de modelos neurais pulsados em CMOS [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-01032011-115940/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (2009)

    Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      NICOLETTI, Talitha. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Nicoletti, T. (2009). Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/

    • NLM

      Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/

    • Vancouver

      Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/

  • Dissertação (Mestrado)

    Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (2009)

    Amaro, Jefferson Oliveira; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, TRANSISTORES (MODELAGEM), CIRCUITOS ANALÓGICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS

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    • ABNT

      AMARO, Jefferson Oliveira. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Amaro, J. O. (2009). Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/

    • NLM

      Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/

    • Vancouver

      Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/

  • Trabalho de evento

    Determinação do comportamento de codificadores em diferentes condições de rede em um cenário experimental (2008)

    Zegarra Rodriguez, Demóstenes ; Arjona Ramírez, Miguel

    Source: SBRT´08: anais.. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Telecomunicações. Unidade: EP

    Subjects: PROCESSAMENTO DIGITAL DE VOZ, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      ZEGARRA RODRIGUEZ, Demóstenes e ARJONA RAMÍREZ, Miguel. Determinação do comportamento de codificadores em diferentes condições de rede em um cenário experimental. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: SBrT, 2008. . Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Zegarra Rodriguez, D., & Arjona Ramírez, M. (2008). Determinação do comportamento de codificadores em diferentes condições de rede em um cenário experimental. In SBRT´08: anais.. Rio de Janeiro: SBrT.

    • NLM

      Zegarra Rodriguez D, Arjona Ramírez M. Determinação do comportamento de codificadores em diferentes condições de rede em um cenário experimental. SBRT´08: anais. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ]

    • Vancouver

      Zegarra Rodriguez D, Arjona Ramírez M. Determinação do comportamento de codificadores em diferentes condições de rede em um cenário experimental. SBRT´08: anais. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee (2008)

    Santos, Sérgio de Almeida; Soares Junior, João Navarro (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, SINTETIZADOR, TELECOMUNICAÇÕES, SISTEMA DE TRANSMISSÃO DE SINAIS DE RÁDIO

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    • ABNT

      SANTOS, Sérgio de Almeida. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Santos, S. de A. (2008). Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/

    • NLM

      Santos S de A. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/

    • Vancouver

      Santos S de A. Sintetizador de freqüências de 2,4 GHz em CMOS, 0,35µm para aplicações em ZigBee [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112008-103111/

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência (2008)

    Trevisan, Paulo Heringer; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)

    Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TREVISAN, Paulo Heringer. Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Trevisan, P. H. (2008). Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/

    • NLM

      Trevisan PH. Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/

    • Vancouver

      Trevisan PH. Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10122008-104246/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (2008)

    Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Agopian, P. G. D. (2008). Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/

    • NLM

      Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/

    • Vancouver

      Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/

  • Dissertação (Mestrado)

    Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (2008)

    Scaff, Robson; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCAFF, Robson. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Scaff, R. (2008). Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/

    • NLM

      Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/

    • Vancouver

      Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/

  • Trabalho de evento

    A 4.1 GHz dual modulus prescaler using the E-TSPC technique and double data throughput structures (2007)

    Miranda, Fernando Pedro Henriques de; Soares Junior, João Navarro ; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria

    Conference titles: IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Unidades: EESC, EP

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    How to cite
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    • ABNT

      MIRANDA, Fernando Pedro Henriques de e SOARES JUNIOR, João Navarro e VAN NOIJE, Wilhelmus Adrianus Maria. A 4.1 GHz dual modulus prescaler using the E-TSPC technique and double data throughput structures. 2007, Anais.. New Orleans: IEEE, 2007. . Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Miranda, F. P. H. de, Soares Junior, J. N., & Van Noije, W. A. M. (2007). A 4.1 GHz dual modulus prescaler using the E-TSPC technique and double data throughput structures. In . New Orleans: IEEE.

    • NLM

      Miranda FPH de, Soares Junior JN, Van Noije WAM. A 4.1 GHz dual modulus prescaler using the E-TSPC technique and double data throughput structures. 2007 ;[citado 2025 nov. 16 ]

    • Vancouver

      Miranda FPH de, Soares Junior JN, Van Noije WAM. A 4.1 GHz dual modulus prescaler using the E-TSPC technique and double data throughput structures. 2007 ;[citado 2025 nov. 16 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS (2007)

    Anjos, Angélica dos; Soares Junior, João Navarro (Orientador)

    Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ANJOS, Angélica dos. Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/. Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Anjos, A. dos. (2007). Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/

    • NLM

      Anjos A dos. Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/

    • Vancouver

      Anjos A dos. Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/

  • Trabalho de evento

    The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs (2007)

    Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor

    Source: SBMicro 2007. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. . Acesso em: 16 nov. 2025.

    • APA

      Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2007). The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society.

    • NLM

      Agopian PGD, Martino JA, Simoen E, Claeys C. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2025 nov. 16 ]

    • Vancouver

      Agopian PGD, Martino JA, Simoen E, Claeys C. The impact of the gate oxide thickness reduction on the gate induced floating body effect in SOI nMOSFETs. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2025 nov. 16 ]

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