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Trabalho de evento
Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H (2001)
Oliveira, A. R.; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Fonte: SBMicro 2001: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
OLIVEIRA, A. R. e PEREYRA, Inés e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Oliveira, A. R., Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (2001). Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Oliveira AR, Pereyra I, Páez Carreño MN. Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Oliveira AR, Pereyra I, Páez Carreño MN. Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Control of the refractive index in PECVD SiOxNy films (2000)
Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés ; Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Fonte: SBMicro 2000 : proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidades: EP, IF
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. Control of the refractive index in PECVD SiOxNy films. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2000). Control of the refractive index in PECVD SiOxNy films. In SBMicro 2000 : proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. Control of the refractive index in PECVD SiOxNy films. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. Control of the refractive index in PECVD SiOxNy films. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films (2000)
Lopes, Alexandre Tavares; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés
Fonte: SBMicro 2000 : proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
LOPES, Alexandre Tavares et al. Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Lopes, A. T., Alayo Chávez, M. I., Paez Carreño, M. N., & Pereyra, I. (2000). Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films. In SBMicro 2000 : proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Lopes AT, Alayo Chávez MI, Paez Carreño MN, Pereyra I. Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Lopes AT, Alayo Chávez MI, Paez Carreño MN, Pereyra I. Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
High quality low temperature DPECVD silicon dioxide (1997)
Pereyra, Inés ; Alayo Chávez, Marco Isaías
Fonte: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
PEREYRA, Inés e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. High quality low temperature DPECVD silicon dioxide. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 212, n. ju 1997, p. 225-231, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(96)00650-3. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Pereyra, I., & Alayo Chávez, M. I. (1997). High quality low temperature DPECVD silicon dioxide. Journal of Non-Crystalline Solids, 212( ju 1997), 225-231. doi:10.1016/s0022-3093(96)00650-3
NLM
Pereyra I, Alayo Chávez MI. High quality low temperature DPECVD silicon dioxide [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1997 ; 212( ju 1997): 225-231.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(96)00650-3
Vancouver
Pereyra I, Alayo Chávez MI. High quality low temperature DPECVD silicon dioxide [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1997 ; 212( ju 1997): 225-231.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(96)00650-3
Artigo de periodico
Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions (1996)
Pereyra, Inés ; Paez Carreño, Marcelo Nelson
Fonte: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREYRA, Inés e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 201, n. ju 1996, p. 110-118, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Pereyra, I., & Paez Carreño, M. N. (1996). Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions. Journal of Non-Crystalline Solids, 201( ju 1996), 110-118. doi:10.1016/0022-3093(96)00131-7
NLM
Pereyra I, Paez Carreño MN. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1996 ; 201( ju 1996): 110-118.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7
Vancouver
Pereyra I, Paez Carreño MN. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1996 ; 201( ju 1996): 110-118.[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7
Trabalho de evento-resumo
Low temperature pecvd silicon oxide (1995)
Pereyra, Inés ; Alayo Chávez, Marco Isaías
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREYRA, Inés e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. Low temperature pecvd silicon oxide. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Pereyra, I., & Alayo Chávez, M. I. (1995). Low temperature pecvd silicon oxide. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Pereyra I, Alayo Chávez MI. Low temperature pecvd silicon oxide. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Pereyra I, Alayo Chávez MI. Low temperature pecvd silicon oxide. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide (1995)
Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson e PEREYRA, Inés. Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Paez Carreño, M. N., & Pereyra, I. (1995). Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Paez Carreño MN, Pereyra I. Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Paez Carreño MN, Pereyra I. Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]

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