Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP ; ALVAREZ, INES PEREYRA DE - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/0022-3093(96)00131-7
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Non-Crystalline Solids
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 201, n. 1/2, p. 110-118, jun. 1996
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PEREYRA, Inés e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 201, n. ju 1996, p. 110-118, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7. Acesso em: 10 jun. 2025. -
APA
Pereyra, I., & Paez Carreño, M. N. (1996). Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions. Journal of Non-Crystalline Solids, 201( ju 1996), 110-118. doi:10.1016/0022-3093(96)00131-7 -
NLM
Pereyra I, Paez Carreño MN. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1996 ; 201( ju 1996): 110-118.[citado 2025 jun. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7 -
Vancouver
Pereyra I, Paez Carreño MN. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1996 ; 201( ju 1996): 110-118.[citado 2025 jun. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7 - 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0022-3093(96)00131-7 (Fonte: oaDOI API)
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