Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H (2001)
- Authors:
- USP affiliated authors: PEREYRA, INÊS - EP ; CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: SBMicro 2001: proceedings
- Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging
-
ABNT
OLIVEIRA, A. R. e PEREYRA, Inés e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 06 nov. 2024. -
APA
Oliveira, A. R., Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (2001). Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro. -
NLM
Oliveira AR, Pereyra I, Páez Carreño MN. Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 nov. 06 ] -
Vancouver
Oliveira AR, Pereyra I, Páez Carreño MN. Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 nov. 06 ] - 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures
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