A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: PEREYRA, INES - EP ; CARREÑO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1002/pssc.200982839
- Subjects: FILMES FINOS; SEMICONDUTORES; METAIS; PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA; SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physica Status Solidi C
- ISSN: 1610-1642
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 7, n. 3/4, p. 793-796, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo e PEREYRA, Inés e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications. Physica Status Solidi C, v. 7, n. 3/4, p. 793-796, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982839. Acesso em: 30 set. 2024. -
APA
Oliveira, A. R., Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (2010). A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications. Physica Status Solidi C, 7( 3/4), 793-796. doi:10.1002/pssc.200982839 -
NLM
Oliveira AR, Pereyra I, Páez Carreño MN. A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications [Internet]. Physica Status Solidi C. 2010 ; 7( 3/4): 793-796.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982839 -
Vancouver
Oliveira AR, Pereyra I, Páez Carreño MN. A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications [Internet]. Physica Status Solidi C. 2010 ; 7( 3/4): 793-796.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982839 - 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures
- Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD
- Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SIC:H
- Desenvolvimento e caracterização de um acelerômetro de silício
- Photocurrent oscillations in a-sic: h double barrier devices exhibiting negative differential resistance
- Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide
- Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films
- Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions
- Microporos em a- 'SI ANTPOT.1-X' 'C ANTPOT.X': h do tipo diamante
- X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling
Informações sobre o DOI: 10.1002/pssc.200982839 (Fonte: oaDOI API)
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