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Trabalho de evento
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe) (1990)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Allan, G L; Lavielle, D; Portal, J C
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Allan, G. L., Lavielle, D., & Portal, J. C. (1990). Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Allan GL, Lavielle D, Portal JC. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Allan GL, Lavielle D, Portal JC. Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe). Proceedings. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings of SPIE. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 05 dez. 2025. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento-resumo
Cristais de niobatos e germanatos dopados e sensibilizados para laser de estado solido (1990)
Koury, E F; Siu Li, Máximo
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
KOURY, E F e SIU LI, Máximo. Cristais de niobatos e germanatos dopados e sensibilizados para laser de estado solido. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b2a93ea3-2f89-404c-bf34-36e08891d708/PROD000485_799861.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Koury, E. F., & Siu Li, M. (1990). Cristais de niobatos e germanatos dopados e sensibilizados para laser de estado solido. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b2a93ea3-2f89-404c-bf34-36e08891d708/PROD000485_799861.pdf
NLM
Koury EF, Siu Li M. Cristais de niobatos e germanatos dopados e sensibilizados para laser de estado solido [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b2a93ea3-2f89-404c-bf34-36e08891d708/PROD000485_799861.pdf
Vancouver
Koury EF, Siu Li M. Cristais de niobatos e germanatos dopados e sensibilizados para laser de estado solido [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b2a93ea3-2f89-404c-bf34-36e08891d708/PROD000485_799861.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Schrappe, B J; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHRAPPE, B J et al. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/df94978e-3eb8-41d4-a370-d55da4131df8/PROD001253_799890.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 825.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 825.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a46de5d-8655-4b41-aacc-3828ae76e361/PROD000096_816624.pdf
Artigo de periodico
Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Materials Science Forum. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, v. 65-6, p. 67-72, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, 65-6, 67-72. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Trabalho de evento
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Basmaji, P.; Minondo, M.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Siu Li, M., Basmaji, P., & Minondo, M. (1990). Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
NLM
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
Vancouver
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy (1990)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 67, n. 9 , p. 4149-51, 1990Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 67( 9 ), 4149-51.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio (1990)
Baffa, Oswaldo; Abreu, M; Siu Li, Máximo ; Rubbi, E
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidades: IFSC, FFCLRP
Subjects: FÍSICA, INSTRUMENTAÇÃO (FÍSICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BAFFA, Oswaldo et al. Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/56b7ead3-ce7d-46af-9c16-b5cfc528d38f/PROD001363_799820.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Baffa, O., Abreu, M., Siu Li, M., & Rubbi, E. (1990). Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/56b7ead3-ce7d-46af-9c16-b5cfc528d38f/PROD001363_799820.pdf
NLM
Baffa O, Abreu M, Siu Li M, Rubbi E. Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/56b7ead3-ce7d-46af-9c16-b5cfc528d38f/PROD001363_799820.pdf
Vancouver
Baffa O, Abreu M, Siu Li M, Rubbi E. Desenvolvimento de um sistema de recuperacao para helio [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/56b7ead3-ce7d-46af-9c16-b5cfc528d38f/PROD001363_799820.pdf
Trabalho de evento-resumo
Observacoes do acoplamento 'CU POT.+' - 'CN POT.-' Na rede de k'CL' (1990)
Oliveira, L.; Siu Li, Máximo
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, L. e SIU LI, Máximo. Observacoes do acoplamento 'CU POT.+' - 'CN POT.-' Na rede de k'CL'. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4edb4155-f8a3-4669-9f26-87dc423dbd61/PROD001331_799807.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Oliveira, L., & Siu Li, M. (1990). Observacoes do acoplamento 'CU POT.+' - 'CN POT.-' Na rede de k'CL'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4edb4155-f8a3-4669-9f26-87dc423dbd61/PROD001331_799807.pdf
NLM
Oliveira L, Siu Li M. Observacoes do acoplamento 'CU POT.+' - 'CN POT.-' Na rede de k'CL' [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4edb4155-f8a3-4669-9f26-87dc423dbd61/PROD001331_799807.pdf
Vancouver
Oliveira L, Siu Li M. Observacoes do acoplamento 'CU POT.+' - 'CN POT.-' Na rede de k'CL' [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4edb4155-f8a3-4669-9f26-87dc423dbd61/PROD001331_799807.pdf
Trabalho de evento-resumo
Lasers de centro de cor para espectroscopia de alta resolucao (1990)
Fabris, J L; Siu Li, Máximo
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FABRIS, J L e SIU LI, Máximo. Lasers de centro de cor para espectroscopia de alta resolucao. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/647bc215-f286-4bd5-b7bd-11bf985af5a7/PROD001333_799818.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fabris, J. L., & Siu Li, M. (1990). Lasers de centro de cor para espectroscopia de alta resolucao. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/647bc215-f286-4bd5-b7bd-11bf985af5a7/PROD001333_799818.pdf
NLM
Fabris JL, Siu Li M. Lasers de centro de cor para espectroscopia de alta resolucao [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/647bc215-f286-4bd5-b7bd-11bf985af5a7/PROD001333_799818.pdf
Vancouver
Fabris JL, Siu Li M. Lasers de centro de cor para espectroscopia de alta resolucao [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/647bc215-f286-4bd5-b7bd-11bf985af5a7/PROD001333_799818.pdf
Trabalho de evento-resumo
Caracterizacao do cristal de 'LI''NB''O IND.3': 'CR POT.3+'+'ER POT.3+' por meio de espectro otico (1990)
Muller, M; Siu Li, Máximo
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MULLER, M e SIU LI, Máximo. Caracterizacao do cristal de 'LI''NB''O IND.3': 'CR POT.3+'+'ER POT.3+' por meio de espectro otico. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/eb924b14-7243-42ce-90e0-ba6edd6475ac/PROD001329_799848.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Muller, M., & Siu Li, M. (1990). Caracterizacao do cristal de 'LI''NB''O IND.3': 'CR POT.3+'+'ER POT.3+' por meio de espectro otico. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/eb924b14-7243-42ce-90e0-ba6edd6475ac/PROD001329_799848.pdf
NLM
Muller M, Siu Li M. Caracterizacao do cristal de 'LI''NB''O IND.3': 'CR POT.3+'+'ER POT.3+' por meio de espectro otico [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/eb924b14-7243-42ce-90e0-ba6edd6475ac/PROD001329_799848.pdf
Vancouver
Muller M, Siu Li M. Caracterizacao do cristal de 'LI''NB''O IND.3': 'CR POT.3+'+'ER POT.3+' por meio de espectro otico [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/eb924b14-7243-42ce-90e0-ba6edd6475ac/PROD001329_799848.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 1990
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Trabalho de evento
Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular) (1990)
Arakaki, Haroldo; Silva, R. V.; Siu Li, Máximo ; Roda, Valentin Obac
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidades: IFQSC, IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAKAKI, Haroldo et al. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a9a1da32-28b7-477e-980f-43cf21057181/PROD001537_2292938.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Arakaki, H., Silva, R. V., Siu Li, M., & Roda, V. O. (1990). Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a9a1da32-28b7-477e-980f-43cf21057181/PROD001537_2292938.pdf
NLM
Arakaki H, Silva RV, Siu Li M, Roda VO. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a9a1da32-28b7-477e-980f-43cf21057181/PROD001537_2292938.pdf
Vancouver
Arakaki H, Silva RV, Siu Li M, Roda VO. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a9a1da32-28b7-477e-980f-43cf21057181/PROD001537_2292938.pdf
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Trabalho de evento-resumo
Halogenetos alcalinos com centros de cor: candidatos para geracao fotoquimica de buracos (1990)
Ventura, Liliane ; Siu Li, Máximo
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENTURA, Liliane e SIU LI, Máximo. Halogenetos alcalinos com centros de cor: candidatos para geracao fotoquimica de buracos. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/13222ffd-57c6-4a36-abc0-faea1e91d838/PROD001330_799849.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Ventura, L., & Siu Li, M. (1990). Halogenetos alcalinos com centros de cor: candidatos para geracao fotoquimica de buracos. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/13222ffd-57c6-4a36-abc0-faea1e91d838/PROD001330_799849.pdf
NLM
Ventura L, Siu Li M. Halogenetos alcalinos com centros de cor: candidatos para geracao fotoquimica de buracos [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/13222ffd-57c6-4a36-abc0-faea1e91d838/PROD001330_799849.pdf
Vancouver
Ventura L, Siu Li M. Halogenetos alcalinos com centros de cor: candidatos para geracao fotoquimica de buracos [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/13222ffd-57c6-4a36-abc0-faea1e91d838/PROD001330_799849.pdf
Trabalho de evento-resumo
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe (1990)
Notari, A C; Lapasse, N; Siu Li, Máximo ; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Notari, A. C., Lapasse, N., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
NLM
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf
Vancouver
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a272da78-2121-4380-a4e0-32c8782d4917/PROD001254_799811.pdf

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