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Artigo de periodico
Stacking-dependent transport properties in few-layers graphene (2017)
Lima, Matheus Paes; Padilha, José Eduardo; Pontes, Renato Borges; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, FENÔMENOS DE TRANSPORTE, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
LIMA, Matheus Paes et al. Stacking-dependent transport properties in few-layers graphene. Solid State Communications, v. 250, p. 70-74, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2016.11.012. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Lima, M. P., Padilha, J. E., Pontes, R. B., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2017). Stacking-dependent transport properties in few-layers graphene. Solid State Communications, 250, 70-74. doi:10.1016/j.ssc.2016.11.012
NLM
Lima MP, Padilha JE, Pontes RB, Fazzio A, Silva AJR da. Stacking-dependent transport properties in few-layers graphene [Internet]. Solid State Communications. 2017 ; 250 70-74.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2016.11.012
Vancouver
Lima MP, Padilha JE, Pontes RB, Fazzio A, Silva AJR da. Stacking-dependent transport properties in few-layers graphene [Internet]. Solid State Communications. 2017 ; 250 70-74.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2016.11.012
Artigo de periodico
Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes (2011)
Padilha, J E ; Amorim, R G; Rocha, A R; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: ENERGIA
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ABNT
PADILHA, J E et al. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, v. 151, n. 6, p. 482-486, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Padilha, J. E., Amorim, R. G., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, 151( 6), 482-486. doi:10.1016/j.ssc.2010.12.031
NLM
Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031
Vancouver
Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031
Artigo de periodico
Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes (2007)
Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: VIDRO, VIDRO
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes. Solid State Communications, v. 141, n. 1-2, p. 49-53, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2007). Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes. Solid State Communications, 141( 1-2), 49-53. doi:10.1016/j.ssc.2007.01.036
NLM
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2007 ; 141( 1-2): 49-53.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036
Vancouver
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2007 ; 141( 1-2): 49-53.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036
Artigo de periodico
Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors (2006)
Dalpian, Gustavo Martini ; Wei, Su-Huai; Gong, X Z; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, MAGNETISMO
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors. Solid State Communications, v. 138, n. 7, p. 353-358, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Wei, S. -H., Gong, X. Z., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors. Solid State Communications, 138( 7), 353-358. doi:10.1016/j.ssc.2006.03.002
NLM
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XZ, Silva AJR da, Fazzio A. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2006 ; 138( 7): 353-358.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002
Vancouver
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XZ, Silva AJR da, Fazzio A. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2006 ; 138( 7): 353-358.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002
Artigo de periodico
Dislocation core properties in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. Dislocation core properties in semiconductors. Solid State Communications, v. 118, n. 12, p. 651-655, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., & Fazzio, A. (2001). Dislocation core properties in semiconductors. Solid State Communications, 118( 12), 651-655. doi:10.1016/s0038-1098(01)00197-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. Dislocation core properties in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 118( 12): 651-655.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. Dislocation core properties in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 118( 12): 651-655.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1
Artigo de periodico
Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP (2001)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS;PROPRIEDADES TÉRMICAS)
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, v. 117, n. 6, p. 353-355, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (2001). Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, 117( 6), 353-355. doi:10.1016/s0038-1098(00)00487-7
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' (2001)
Silva, Cesar R S da; Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERCONDUTIVIDADE, MUDANÇA DE FASE
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ABNT
SILVA, Cesar R S da et al. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5'. Solid State Communications, v. 120, n. 9-10, p. 369-373, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5'. Solid State Communications, 120( 9-10), 369-373. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
NLM
Silva CRS da, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 120( 9-10): 369-373.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
Vancouver
Silva CRS da, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 120( 9-10): 369-373.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
Artigo de periodico
Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs (1999)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.; Piquini, P.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, v. 110, p. 457-461, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1999). Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, 110, 457-461. doi:10.1016/s0038-1098(98)00606-1
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1
Artigo de periodico
Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB' (1996)
Silva, A. F.; Dantas, N S; Mota, F B; Canuto, Sylvio Roberto Accioly ; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, A. F. et al. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, v. 99, n. 4 , p. 295-7, 1996Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. F., Dantas, N. S., Mota, F. B., Canuto, S. R. A., & Fazzio, A. (1996). Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, 99( 4 ), 295-7.
NLM
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto SRA, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto SRA, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors (1992)
Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors. Solid State Communications, v. 82, p. 83-7, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1992). Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors. Solid State Communications, 82, 83-7. doi:10.1016/0038-1098(92)90677-2
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 1992 ;82 83-7.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 1992 ;82 83-7.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7' (1991)
Lima, G A R; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LIMA, G A R e FAZZIO, Adalberto e MOTA, R. Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'. Solid State Communications, v. 78, p. 91-3, 1991Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Lima, G. A. R., Fazzio, A., & Mota, R. (1991). Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'. Solid State Communications, 78, 91-3.
NLM
Lima GAR, Fazzio A, Mota R. Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'. Solid State Communications. 1991 ;78 91-3.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Lima GAR, Fazzio A, Mota R. Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'. Solid State Communications. 1991 ;78 91-3.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
'CR POT.2+' luminescence in 'GA''AS' as a function of hydrostatic pressure (1989)
Lima, G A R; Sardela Junior, M R; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, G A R et al. 'CR POT.2+' luminescence in 'GA''AS' as a function of hydrostatic pressure. Solid State Communications, v. 69, n. 5 , p. 461-3, 1989Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Lima, G. A. R., Sardela Junior, M. R., Fazzio, A., & Mota, R. (1989). 'CR POT.2+' luminescence in 'GA''AS' as a function of hydrostatic pressure. Solid State Communications, 69( 5 ), 461-3.
NLM
Lima GAR, Sardela Junior MR, Fazzio A, Mota R. 'CR POT.2+' luminescence in 'GA''AS' as a function of hydrostatic pressure. Solid State Communications. 1989 ;69( 5 ): 461-3.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Lima GAR, Sardela Junior MR, Fazzio A, Mota R. 'CR POT.2+' luminescence in 'GA''AS' as a function of hydrostatic pressure. Solid State Communications. 1989 ;69( 5 ): 461-3.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, Adalberto e MOTA, R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications, v. 66, n. 10, p. 1031-3, 1988Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Fazzio, A., & Mota, R. (1988). Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications, 66( 10), 1031-3.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A, Mota R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications. 1988 ;66( 10): 1031-3.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A, Mota R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications. 1988 ;66( 10): 1031-3.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
Gomes, V M S; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Caldas, Marilia Junqueira ; Leite, J. R.; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x

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