Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes (2011)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.ssc.2010.12.031
- Assunto: ENERGIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Pergamon Press
- Publisher place: New York
- Date published: 2011
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.151, n.6, p.482-486, mar. 2011
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: hybrid
- Licença: unspecified-oa
-
ABNT
PADILHA, J E et al. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, v. 151, n. 6, p. 482-486, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031. Acesso em: 14 set. 2024. -
APA
Padilha, J. E., Amorim, R. G., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, 151( 6), 482-486. doi:10.1016/j.ssc.2010.12.031 -
NLM
Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031 -
Vancouver
Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031 - Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface
- First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors
- Adsorption of "C IND.59" Si on Si(100) monohydride surface
- Influence of two vacancies in bubdles and isolated carbon naotubes
- {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires
- Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2'
- Effect of impurities on the breaking of Au nanowires
- Adsorption and incorporation of Mn on Si(100)
- Microscopic picture of the single vacancy in germanium
- Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.ssc.2010.12.031 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | 1-s2.0-S003810981000760X-... | Direct link |
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