Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas (1988)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Source:
- Título: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.66, n.10, p.1031-3, 1988
-
ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, Adalberto e MOTA, R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications, v. 66, n. 10, p. 1031-3, 1988Tradução . . Acesso em: 27 dez. 2025. -
APA
Scolfaro, L. M. R., Fazzio, A., & Mota, R. (1988). Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications, 66( 10), 1031-3. -
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A, Mota R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications. 1988 ;66( 10): 1031-3.[citado 2025 dez. 27 ] -
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A, Mota R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications. 1988 ;66( 10): 1031-3.[citado 2025 dez. 27 ] - First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si
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