Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires (2005)
- Autor:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA; ESTRUTURA ELETRÔNICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: PUC/RIO
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 2005
- Source:
- Título: Program
- Volume/Número/Paginação/Ano: Rio de Janeiro : PUC/RIO, 2005
- Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications
-
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0288-1.pdf. Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Fazzio, A. (2005). Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0288-1.pdf -
NLM
Fazzio A. Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 dez. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0288-1.pdf -
Vancouver
Fazzio A. Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 dez. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0288-1.pdf - First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si
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