Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes (2007)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.ssc.2007.01.036
- Subjects: VIDRO; VIDRO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Communications
- ISSN: 0038-1098
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 141, n. 1-2, p. 49-53, 2007
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes. Solid State Communications, v. 141, n. 1-2, p. 49-53, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036. Acesso em: 10 jan. 2026. -
APA
Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2007). Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes. Solid State Communications, 141( 1-2), 49-53. doi:10.1016/j.ssc.2007.01.036 -
NLM
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2007 ; 141( 1-2): 49-53.[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036 -
Vancouver
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2007 ; 141( 1-2): 49-53.[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036 - Cadeias lineares de carbono
- Conformational analysis of tannic acid: environment effects in electronic and reactivity properties
- Adalberto Fazzio, o pioneiro do grafeno que quer reinventar o microchip [Depoimento]
- Interaction of graphene oxide with tannic acid: computational modeling and toxicity mitigation in C. elegans
- Point defect interactions with extended defects in semiconductors
- Modelo molecular para solidos covalentes
- Theoretical study of "NH IND.3" sensors based on "CN IND.x" nanotubes
- Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio
- Structural and electronic properties of a-SiN
- Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.ssc.2007.01.036 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
