Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors (1992)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0038-1098(92)90677-2
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.82, p.83-7, 1992
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors. Solid State Communications, v. 82, p. 83-7, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2. Acesso em: 16 out. 2024. -
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1992). Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors. Solid State Communications, 82, 83-7. doi:10.1016/0038-1098(92)90677-2 -
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 1992 ;82 83-7.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2 -
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 1992 ;82 83-7.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2 - Electronic and structural properties of complex defects in GaAs
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0038-1098(92)90677-2 (Fonte: oaDOI API)
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