Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs (1999)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0038-1098(98)00606-1
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- ISSN: 0038-1098
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 110, p. 457-461, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, v. 110, p. 457-461, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1. Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1999). Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, 110, 457-461. doi:10.1016/s0038-1098(98)00606-1 -
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1 -
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1098(98)00606-1 (Fonte: oaDOI API)
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