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Artigo de periodico
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects (2001)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, MUDANÇA DE FASE, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, v. 308, p. 470-473, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, 308, 470-473. doi:10.1016/s0921-4526(01)00743-8
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Artigo de periodico
Native defects in germanium (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Native defects in germanium. Physica B, v. 302-303, p. 363-368, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
NLM
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Vancouver
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Artigo de periodico
Dislocation core properties in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. Dislocation core properties in semiconductors. Solid State Communications, v. 118, n. 12, p. 651-655, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., & Fazzio, A. (2001). Dislocation core properties in semiconductors. Solid State Communications, 118( 12), 651-655. doi:10.1016/s0038-1098(01)00197-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. Dislocation core properties in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 118( 12): 651-655.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. Dislocation core properties in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 118( 12): 651-655.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1
Artigo de periodico
Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects (2001)
Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da ; Silva, Cesar da; Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS DINÂMICOS, ESTABILIDADE DE SISTEMAS
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 62-66, 2001Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, Silva, C. da, Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2001). Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, 22( 1-2), 62-66.
NLM
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet (2001)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ELASTICIDADE, MATERIAIS
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ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet. Physical Review Letters, v. 87, n. 15, p. 5901/1-5901/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000015155901000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet. Physical Review Letters, 87( 15), 5901/1-5901/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000015155901000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 15): 5901/1-5901/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000015155901000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 15): 5901/1-5901/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000015155901000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos (2001)
Venezuela, Pedro; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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VENEZUELA, Pedro et al. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom (2001)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, 63( 20), 5303/1-5303/4. doi:10.1103/physrevb.63.205303
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Artigo de periodico
Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP (2001)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS;PROPRIEDADES TÉRMICAS)
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, v. 117, n. 6, p. 353-355, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (2001). Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, 117( 6), 353-355. doi:10.1016/s0038-1098(00)00487-7
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308, p. 489-492, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system (2001)
Silva, Cesar R S da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, Cesar R S da e FAZZIO, Adalberto. Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system. Physical Review B, v. 64, n. 7, p. 5301/1-5301/7, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.075301. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, & Fazzio, A. (2001). Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system. Physical Review B, 64( 7), 5301/1-5301/7. doi:10.1103/physrevb.64.075301
NLM
Silva CRS da, Fazzio A. Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 7): 5301/1-5301/7.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.075301
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A. Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 7): 5301/1-5301/7.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.075301
Artigo de periodico
Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube (2001)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Paiva, C; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Molecular Structure-Theochem. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, v. 539, p. 101-106, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Paiva, C., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, 539, 101-106. doi:10.1016/s0166-1280(00)00777-6
NLM
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6
Artigo de periodico
Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) (2001)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, DENSIDADE, SUPERFÍCIE FÍSICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, ABSORÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 19-23, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, 22( 1-2), 19-23. doi:10.1016/s0927-0256(01)00158-6
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6
Artigo de periodico
Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs (2001)
Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1347005. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, 78( 7), 907-909. doi:10.1063/1.1347005
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005
Artigo de periodico
Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) (2001)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA DE SUPERFÍCIE, QUÍMICA QUÂNTICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, v. 482, p. 507-511, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, 482, 507-511. doi:10.1016/s0039-6028(00)01012-8
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 507-511.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 507-511.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8
Artigo de periodico
Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy (2001)
Venezuela, P; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy. Physical Review B, v. 64, n. 19, p. 3202/1-3202/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy. Physical Review B, 64( 19), 3202/1-3202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 19): 3202/1-3202/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 19): 3202/1-3202/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5' (2001)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, MAGNETISMO, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva CRS da, Fazzio A, Silva AJR da. Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'. Resumos. 2001 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A, Silva AJR da. Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'. Resumos. 2001 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes (2001)
Baierle, Rogerio Jose; Fagan, Solange Binotto; Mota, R.; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CLUSTERS
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, v. 64, n. 8, p. 5413/1-5413/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Baierle, R. J., Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, 64( 8), 5413/1-5413/4. doi:10.1103/physrevb.64.085413
NLM
Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413
Vancouver
Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413
Artigo de periodico
Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, A
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ACÚSTICA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MECÂNICA DOS LÍQUIDOS, CRISTALOGRAFIA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, v. 302, n. 403-407, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2001). Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, 302( 403-407). doi:10.1016/s0921-4526(01)00462-8
NLM
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8
Vancouver
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8
Artigo de periodico
The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, v. 302-303, p. 398-402, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., & Fazzio, A. (2001). The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, 302-303, 398-402. doi:10.1016/s0921-4526(01)00461-6
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' (2001)
Silva, Cesar R S da; Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERCONDUTIVIDADE, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar R S da et al. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5'. Solid State Communications, v. 120, n. 9-10, p. 369-373, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5'. Solid State Communications, 120( 9-10), 369-373. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
NLM
Silva CRS da, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 120( 9-10): 369-373.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
Vancouver
Silva CRS da, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 120( 9-10): 369-373.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b

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