Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors (2001)
- Authors:
- USP affiliated author: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- School: IF
- DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00462-8
- Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS); ACÚSTICA (PROPRIEDADES MECÂNICAS); ESTRUTURA DOS SÓLIDOS; MECÂNICA DOS LÍQUIDOS; CRISTALOGRAFIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco; SCHMIDT, T M; FAZZIO, Adalberto; ANTONELLI, A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, Amsterdam, v. 302, n. 403-407, 2001. Disponível em: < http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=403_sodaoedis&form=pdf&file=file.pdf > DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00462-8. -
APA
Justo Filho, J. F., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2001). Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, 302( 403-407). doi:10.1016/s0921-4526(01)00462-8 -
NLM
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=403_sodaoedis&form=pdf&file=file.pdf -
Vancouver
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=403_sodaoedis&form=pdf&file=file.pdf - Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00462-8 (Fonte: oaDOI API)
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