Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) (2001)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0039-6028(00)01012-8
- Subjects: QUÍMICA DE SUPERFÍCIE; QUÍMICA QUÂNTICA; MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- ISSN: 0039-6028
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 482, pt. 1, p. 507-511, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
DALPIAN, G M e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, v. 482, p. 507-511, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, 482, 507-511. doi:10.1016/s0039-6028(00)01012-8 -
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 507-511.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8 -
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 507-511.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8 - Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
- Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100)
- Eletronic and structural properties of 'C IND. 59'Si on a hydrogenated Si(100) surface
- A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor
- Adsoption of gold on carbon nanotubes
- Computer simulations of gold nanowires
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0039-6028(00)01012-8 (Fonte: oaDOI API)
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