Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs (2001)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1347005
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1347005. Acesso em: 24 jan. 2026. -
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, 78( 7), 907-909. doi:10.1063/1.1347005 -
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2026 jan. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005 -
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2026 jan. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005 - Characteristic temperature of 2D materials
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1347005 (Fonte: oaDOI API)
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