Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) (2001)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0927-0256(01)00158-6
- Subjects: MATERIAIS; DENSIDADE; SUPERFÍCIE FÍSICA; MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA; ABSORÇÃO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Computational Materials Science
- ISSN: 0927-0256
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 22, n. 1-2, p. 19-23, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 19-23, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6. Acesso em: 28 dez. 2025. -
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, 22( 1-2), 19-23. doi:10.1016/s0927-0256(01)00158-6 -
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6 -
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2025 dez. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6 - 'HF' defects in 'HF''O' IND. 2'/'SI'
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0927-0256(01)00158-6 (Fonte: oaDOI API)
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