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Trabalho de evento-resumo
Excitacoes em defeitos nativos em gaas: o centro e12 (1988)
Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira e FAZZIO, Adalberto. Excitacoes em defeitos nativos em gaas: o centro e12. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Excitacoes em defeitos nativos em gaas: o centro e12. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Caldas MJ, Fazzio A. Excitacoes em defeitos nativos em gaas: o centro e12. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Caldas MJ, Fazzio A. Excitacoes em defeitos nativos em gaas: o centro e12. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Parte de monografia/livro
Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, Adalberto
Fonte: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, Adalberto. Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1988). Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, Adalberto. Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1988). Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, Adalberto e MOTA, R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications, v. 66, n. 10, p. 1031-3, 1988Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Fazzio, A., & Mota, R. (1988). Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications, 66( 10), 1031-3.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A, Mota R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications. 1988 ;66( 10): 1031-3.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A, Mota R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications. 1988 ;66( 10): 1031-3.[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio (1988)
Lima, G A R; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
LIMA, G A R e MOTA, R. e FAZZIO, Adalberto. Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Lima, G. A. R., Mota, R., & Fazzio, A. (1988). Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima GAR, Mota R, Fazzio A. Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Lima GAR, Mota R, Fazzio A. Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Acceptor and donor levels of 3d impurities at interstial sites in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, Adalberto
Fonte: Revista Brasileira de Fisica. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, Adalberto. Acceptor and donor levels of 3d impurities at interstial sites in gaas. Revista Brasileira de Fisica, v. 18, n. 2 , p. 174-81, 1988Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1988). Acceptor and donor levels of 3d impurities at interstial sites in gaas. Revista Brasileira de Fisica, 18( 2 ), 174-81.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Acceptor and donor levels of 3d impurities at interstial sites in gaas. Revista Brasileira de Fisica. 1988 ;18( 2 ): 174-81.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Acceptor and donor levels of 3d impurities at interstial sites in gaas. Revista Brasileira de Fisica. 1988 ;18( 2 ): 174-81.[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, Adalberto
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, Adalberto. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1988). Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Fazzio, Adalberto ; Canuto, Sylvio Roberto Accioly
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N e FAZZIO, Adalberto e CANUTO, Sylvio Roberto Accioly. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors. Physical Review B, v. 37, n. 9 , p. 4770-3, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Makiuchi, N., Fazzio, A., & Canuto, S. R. A. (1988). Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors. Physical Review B, 37( 9 ), 4770-3. doi:10.1103/physrevb.37.4770
NLM
Makiuchi N, Fazzio A, Canuto SRA. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 9 ): 4770-3.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770
Vancouver
Makiuchi N, Fazzio A, Canuto SRA. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 9 ): 4770-3.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770
Parte de monografia/livro
Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2025 dez. 05 ]
Parte de monografia/livro
Charge state stability of transition metals in semiconductors: negative u (1988)
Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, R. e FAZZIO, Adalberto. Charge state stability of transition metals in semiconductors: negative u. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, R., & Fazzio, A. (1988). Charge state stability of transition metals in semiconductors: negative u. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metals in semiconductors: negative u. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metals in semiconductors: negative u. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2025 dez. 05 ]
Monografia/livro
Current topics on semiconductor physics. Brazilian School of Semiconductor Physics, 3, Campinas, 1987. Proceedings (1988)
Hipólito, Oscar (Editor); Fazzio, Adalberto (Editor) ; Marques, G E (Editor)
Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Current topics on semiconductor physics. Brazilian School of Semiconductor Physics, 3, Campinas, 1987. Proceedings. . Singapore: World Scientific. . Acesso em: 05 dez. 2025. , 1988
APA
Current topics on semiconductor physics. Brazilian School of Semiconductor Physics, 3, Campinas, 1987. Proceedings. (1988). Current topics on semiconductor physics. Brazilian School of Semiconductor Physics, 3, Campinas, 1987. Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Current topics on semiconductor physics. Brazilian School of Semiconductor Physics, 3, Campinas, 1987. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Current topics on semiconductor physics. Brazilian School of Semiconductor Physics, 3, Campinas, 1987. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u (1988)
Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, R. e FAZZIO, Adalberto. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, R., & Fazzio, A. (1988). Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Parte de monografia/livro
Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-' (1988)
Antonelli, A; Valle do Amaral, O A; Canuto, Sylvio Roberto Accioly ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, A et al. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Antonelli, A., Valle do Amaral, O. A., Canuto, S. R. A., & Fazzio, A. (1988). Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Antonelli A, Valle do Amaral OA, Canuto SRA, Fazzio A. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Antonelli A, Valle do Amaral OA, Canuto SRA, Fazzio A. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2025 dez. 05 ]

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