Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors (1988)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.37.4770
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.37, n.9 , p.4770-3, 1988
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MAKIUCHI, N e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors. Physical Review B, v. 37, n. 9 , p. 4770-3, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770. Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Makiuchi, N., Fazzio, A., & Canuto, S. (1988). Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors. Physical Review B, 37( 9 ), 4770-3. doi:10.1103/physrevb.37.4770 -
NLM
Makiuchi N, Fazzio A, Canuto S. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 9 ): 4770-3.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770 -
Vancouver
Makiuchi N, Fazzio A, Canuto S. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 9 ): 4770-3.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.37.4770 (Fonte: oaDOI API)
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