Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal (1988)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1988
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, A. Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 25 jul. 2024. -
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1988). Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jul. 25 ] -
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 jul. 25 ] - Electronic and structural properties of complex defects in GaAs
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