Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
ABNT
SOUZA FILHO, J C e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 13 nov. 2025.APA
Souza Filho, J. C., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1996). Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.NLM
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 13 ]Vancouver
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Influence of different rapid thermal oxidation recipes on the rms roughness of the 'SI'-'SI''O IND.2' interface. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 13 ]
