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  • Artigo de periodico

    Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Mitard Jerome; Agopian, Paula Ghedini Der ; Langer, Robert; Witters, Liesbeth J; Martino, João Antonio

    Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 10, p. 4031-4037, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard Jerome,, Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 10), 4031-4037. doi:10.1109/ted.2016.2598288

    • NLM

      Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288

    • Vancouver

      Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

    • NLM

      Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

    • Vancouver

      Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

  • Tese (Doutorado)

    Aplicação de autômatos celulares para simulação de processos de microfabricação (2016)

    Colombo, Fábio Belotti; Páez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: AUTÔMATOS CELULARES, SIMULAÇÃO, MICROELETRÔNICA, SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS

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    • ABNT

      COLOMBO, Fábio Belotti. Aplicação de autômatos celulares para simulação de processos de microfabricação. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-144709/. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Colombo, F. B. (2016). Aplicação de autômatos celulares para simulação de processos de microfabricação (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-144709/

    • NLM

      Colombo FB. Aplicação de autômatos celulares para simulação de processos de microfabricação [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-144709/

    • Vancouver

      Colombo FB. Aplicação de autômatos celulares para simulação de processos de microfabricação [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-144709/

  • Artigo de periodico

    Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K (2016)

    Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 12, p. 124001, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Bordallo, C. C. M., Vandooren, A., Rooyackers, R., Mols, Y., Alian, A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, 31( 12), 124001. doi:10.1088/0268-1242/31/12/124001

    • NLM

      Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001

    • Vancouver

      Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001

  • Artigo de periodico

    Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Langer, Robert; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 11, p. 114002 , 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de, Agopian, P. G. D., Simoen, E., Langer, R., Collaert, N., Thean, A., et al. (2016). Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, 31( 11), 114002 . doi:10.1088/0268-1242/31/11/114002

    • NLM

      Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002

    • Vancouver

      Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002

  • Tese (Doutorado)

    Biossensores de pH, ureia e glicose utilizando a microeletrônica de filmes finos de AZO e TIO2 (2016)

    Fernandes, Jessica Colnaghi; Mulato, Marcelo (Orientador)

    Unidade: FFCLRP

    Subjects: UREIA, GLICOSE, MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      FERNANDES, Jessica Colnaghi. Biossensores de pH, ureia e glicose utilizando a microeletrônica de filmes finos de AZO e TIO2. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-09032016-154506/. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Fernandes, J. C. (2016). Biossensores de pH, ureia e glicose utilizando a microeletrônica de filmes finos de AZO e TIO2 (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-09032016-154506/

    • NLM

      Fernandes JC. Biossensores de pH, ureia e glicose utilizando a microeletrônica de filmes finos de AZO e TIO2 [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-09032016-154506/

    • Vancouver

      Fernandes JC. Biossensores de pH, ureia e glicose utilizando a microeletrônica de filmes finos de AZO e TIO2 [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-09032016-154506/

  • Tese (Doutorado)

    Sistemas de detecção e classificação de impulsos elétricos de sinais neurais extracelulares (2016)

    Saldaña Pumarica, Julio César; Del Moral Hernandez, Emilio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, NEUROCIÊNCIAS

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    • ABNT

      SALDAÑA PUMARICA, Julio César. Sistemas de detecção e classificação de impulsos elétricos de sinais neurais extracelulares. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122016-133542/. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Saldaña Pumarica, J. C. (2016). Sistemas de detecção e classificação de impulsos elétricos de sinais neurais extracelulares (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122016-133542/

    • NLM

      Saldaña Pumarica JC. Sistemas de detecção e classificação de impulsos elétricos de sinais neurais extracelulares [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122016-133542/

    • Vancouver

      Saldaña Pumarica JC. Sistemas de detecção e classificação de impulsos elétricos de sinais neurais extracelulares [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122016-133542/

  • Dissertação (Mestrado)

    Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (2016)

    Bertoldo, Marcelo; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES

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    • ABNT

      BERTOLDO, Marcelo. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Bertoldo, M. (2016). Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

    • NLM

      Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

    • Vancouver

      Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (2016)

    Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SASAKI, Kátia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

    • NLM

      Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

    • Vancouver

      Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

  • Artigo de periodico

    Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Thean, Aaron; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Claeys, Cor ; Mertens, Hans; Collaert, Nadine

    Source: ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314, v. 66, n. 5, p. 309-314, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Thean, A., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Claeys, C., et al. (2016). Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314, 66( 5), 309-314. doi:10.1149/06605.0309ecst

    • NLM

      Oliveira AV de, Simoen E, Thean A, Agopian PGD, Martino JA, Claeys C, Mertens H, Collaert N. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs [Internet]. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. 2016 ; 66( 5): 309-314.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst

    • Vancouver

      Oliveira AV de, Simoen E, Thean A, Agopian PGD, Martino JA, Claeys C, Mertens H, Collaert N. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs [Internet]. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. 2016 ; 66( 5): 309-314.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst

  • Artigo de periodico

    Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, v. 123, p. 124-129, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de, Collaert, N., Thean, A., Claeys, C., Simoen, E., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, 123, 124-129. doi:10.1016/j.sse.2016.05.004

    • NLM

      Oliveira AV de, Collaert N, Thean A, Claeys C, Simoen E, Agopian PGD, Martino JA. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 123 124-129.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004

    • Vancouver

      Oliveira AV de, Collaert N, Thean A, Claeys C, Simoen E, Agopian PGD, Martino JA. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 123 124-129.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004

  • Artigo de periodico

    InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature (2016)

    Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Verhulist, A.; Verreck, D.; Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Martino, João Antonio ; Alian1, Y. Mols1, C. C. M. Bordallo2, D. Verreck3, A. Verhulst1, A. Vandooren1, R. Rooyackers1, P. G. D. Agopian2,4, J. A. Martino2, A. Thean1,a), D. Lin1, D. Mocuta1, and N. Collaert1

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: EP

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALIAN, A et al. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, v. 109, n. 24, p. 243502, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4971830. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Alian, A., Agopian, P. G. D., Verhulist, A., Verreck, D., Bordallo, C. C. M., Martino, J. A., & Alian1, Y. M. 1. (2016). InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, 109( 24), 243502. doi:10.1063/1.4971830

    • NLM

      Alian A, Agopian PGD, Verhulist A, Verreck D, Bordallo CCM, Martino JA, Alian1 YM1. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 109( 24): 243502.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4971830

    • Vancouver

      Alian A, Agopian PGD, Verhulist A, Verreck D, Bordallo CCM, Martino JA, Alian1 YM1. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 109( 24): 243502.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4971830

  • Trabalho de evento-resumo

    Electronics in Brazil (2016)

    Faria, Roberto Mendonça

    Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETRÔNICA, MICROELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      FARIA, Roberto Mendonça. Electronics in Brazil. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6BS. Acesso em: 12 nov. 2024.

    • APA

      Faria, R. M. (2016). Electronics in Brazil. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6BS

    • NLM

      Faria RM. Electronics in Brazil [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6BS

    • Vancouver

      Faria RM. Electronics in Brazil [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6BS
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