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Parte de monografia/livro
Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K (1997)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Conference titles: Symposium Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 1997. . . Acesso em: 24 set. 2024.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1997). Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 set. 24 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 set. 24 ]
Tese (Livre Docência)
Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais (1997)
Pereira, José Carlos
Unidade: EESC
Subjects: PROCESSAMENTO DIGITAL DE SINAIS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
PEREIRA, José Carlos. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1997. . Acesso em: 24 set. 2024.
APA
Pereira, J. C. (1997). Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Carlos.
NLM
Pereira JC. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997 ;[citado 2024 set. 24 ]
Vancouver
Pereira JC. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997 ;[citado 2024 set. 24 ]
Artigo de periodico
Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k (1997)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Colinge, Jean-Pierre
Source: Microelectronic Engineering. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e COLINGE, Jean-Pierre. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k. Microelectronic Engineering, v. 36, n. 1-4, p. 375-378, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x. Acesso em: 24 set. 2024.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Colinge, J. -P. (1997). Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k. Microelectronic Engineering, 36( 1-4), 375-378. doi:10.1016/s0167-9317(97)00083-x
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k [Internet]. Microelectronic Engineering. 1997 ; 36( 1-4): 375-378.[citado 2024 set. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k [Internet]. Microelectronic Engineering. 1997 ; 36( 1-4): 375-378.[citado 2024 set. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x
Parte de monografia/livro
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs (1997)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio
Source: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Conference titles: Symposium Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 1997. . . Acesso em: 24 set. 2024.
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1997). A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Pavanello MA, Martino JA. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 set. 24 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 set. 24 ]
Dissertação (Mestrado)
Corrosão de alumínio por plasma (1997)
Nakazawa, Angela Makie; Verdonck, Patrick Bernard (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CORROSÃO, ALUMÍNIO, MICROELETRÔNICA, PLASMA
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ABNT
NAKAZAWA, Angela Makie. Corrosão de alumínio por plasma. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-075052/pt-br.php. Acesso em: 24 set. 2024.
APA
Nakazawa, A. M. (1997). Corrosão de alumínio por plasma (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-075052/pt-br.php
NLM
Nakazawa AM. Corrosão de alumínio por plasma [Internet]. 1997 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-075052/pt-br.php
Vancouver
Nakazawa AM. Corrosão de alumínio por plasma [Internet]. 1997 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-075052/pt-br.php
Artigo de periodico
Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model (1997)
Bellodi, Marcelo; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcelo e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf. Acesso em: 24 set. 2024.
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, D. (1997). Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf
NLM
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model [Internet]. 1997 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf
Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model [Internet]. 1997 ;[citado 2024 set. 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf

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