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  • Parte de monografia/livro

    Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K (1997)

    Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor

    Source: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Conference titles: Symposium Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity. Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, MICROELETRÔNICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 1997. . . Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1997). Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.

    • NLM

      Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 nov. 13 ]

    • Vancouver

      Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K. In: 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 nov. 13 ]

  • Tese (Livre Docência)

    Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais (1997)

    Pereira, José Carlos

    Unidade: EESC

    Subjects: PROCESSAMENTO DIGITAL DE SINAIS, MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      PEREIRA, José Carlos. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1997. . Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Pereira, J. C. (1997). Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Carlos.

    • NLM

      Pereira JC. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]

    • Vancouver

      Pereira JC. Instrumentação, microeletrônica e processamento digital de sinais. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]

  • Artigo de periodico

    Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k (1997)

    Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Colinge, Jean-Pierre

    Source: Microelectronic Engineering. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e COLINGE, Jean-Pierre. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k. Microelectronic Engineering, v. 36, n. 1-4, p. 375-378, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Colinge, J. -P. (1997). Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k. Microelectronic Engineering, 36( 1-4), 375-378. doi:10.1016/s0167-9317(97)00083-x

    • NLM

      Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k [Internet]. Microelectronic Engineering. 1997 ; 36( 1-4): 375-378.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x

    • Vancouver

      Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k [Internet]. Microelectronic Engineering. 1997 ; 36( 1-4): 375-378.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x

  • Parte de monografia/livro

    A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs (1997)

    Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio

    Source: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Conference titles: Symposium Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 1997. . . Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1997). A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society.

    • NLM

      Pavanello MA, Martino JA. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 nov. 13 ]

    • Vancouver

      Pavanello MA, Martino JA. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs. In: Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Pennington: The Electrochemical Society; 1997. [citado 2024 nov. 13 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Corrosão de alumínio por plasma (1997)

    Nakazawa, Angela Makie; Verdonck, Patrick Bernard (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CORROSÃO, ALUMÍNIO, MICROELETRÔNICA, PLASMA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NAKAZAWA, Angela Makie. Corrosão de alumínio por plasma. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-075052/pt-br.php. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Nakazawa, A. M. (1997). Corrosão de alumínio por plasma (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-075052/pt-br.php

    • NLM

      Nakazawa AM. Corrosão de alumínio por plasma [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-075052/pt-br.php

    • Vancouver

      Nakazawa AM. Corrosão de alumínio por plasma [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-075052/pt-br.php

  • Artigo de periodico

    Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model (1997)

    Bellodi, Marcelo; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis

    Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BELLODI, Marcelo e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, D. (1997). Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf

    • NLM

      Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf

    • Vancouver

      Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf
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