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Artigo de periodico
Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform (2024)
Verona, Bruno Marinaro; Simionato, Eligia; Palomino, Gustavo; Aldaya, Ivan; Penchel, Rafael Abrantes; Serrano, Ariana Maria da Conceição Lacorte Caniato ; Rehder, Gustavo Pamplona
Source: IEEE Access. Unidade: EP
Subjects: WIRELESS, MICROELETRÔNICA, TELECOMUNICAÇÕES, MATRIZES
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ABNT
VERONA, Bruno Marinaro et al. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform. IEEE Access, v. 12, n. Ja 2024, p. 22132-22143, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Verona, B. M., Simionato, E., Palomino, G., Aldaya, I., Penchel, R. A., Serrano, A. M. da C. L. C., & Rehder, G. P. (2024). Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform. IEEE Access, 12( Ja 2024), 22132-22143. doi:10.1109/ACCESS.2024.3357078
NLM
Verona BM, Simionato E, Palomino G, Aldaya I, Penchel RA, Serrano AM da CLC, Rehder GP. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform [Internet]. IEEE Access. 2024 ; 12( Ja 2024): 22132-22143.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078
Vancouver
Verona BM, Simionato E, Palomino G, Aldaya I, Penchel RA, Serrano AM da CLC, Rehder GP. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform [Internet]. IEEE Access. 2024 ; 12( Ja 2024): 22132-22143.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078
Trabalho de evento
Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)
Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
NLM
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Vancouver
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Trabalho de evento
Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors (2023)
Souto, Rayana Carvalho de Barros; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SOUTO, Rayana Carvalho de Barros e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Souto, R. C. de B., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
NLM
Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
Vancouver
Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
Artigo de periodico
Ultrasensitive diamond microelectrode application in the detection of Ca2+ transport by annexinA5-containing nanostructured liposomes (2022)
Pasquarelli, Alberto; Andrilli, Luiz Henrique da Silva ; Bolean, Maytê ; Ferreira, Claudio Reis; Cruz, Marcos Antônio Eufrasio ; Oliveira, Flávia Amadeu de; Ramos, Ana Paula ; Millán, José Luis; Bottini, Massimo; Ciancaglini, Pietro
Source: Biosensors. Unidade: FFCLRP
Subjects: MICROELETRÔNICA, ELETRODO, DIAMANTE, TRANSPORTE DE CÁLCIO
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ABNT
PASQUARELLI, Alberto et al. Ultrasensitive diamond microelectrode application in the detection of Ca2+ transport by annexinA5-containing nanostructured liposomes. Biosensors, v. 12, n. 7, p. 1-15, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/bios12070525. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Pasquarelli, A., Andrilli, L. H. da S., Bolean, M., Ferreira, C. R., Cruz, M. A. E., Oliveira, F. A. de, et al. (2022). Ultrasensitive diamond microelectrode application in the detection of Ca2+ transport by annexinA5-containing nanostructured liposomes. Biosensors, 12( 7), 1-15. doi:10.3390/bios12070525
NLM
Pasquarelli A, Andrilli LH da S, Bolean M, Ferreira CR, Cruz MAE, Oliveira FA de, Ramos AP, Millán JL, Bottini M, Ciancaglini P. Ultrasensitive diamond microelectrode application in the detection of Ca2+ transport by annexinA5-containing nanostructured liposomes [Internet]. Biosensors. 2022 ; 12( 7): 1-15.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.3390/bios12070525
Vancouver
Pasquarelli A, Andrilli LH da S, Bolean M, Ferreira CR, Cruz MAE, Oliveira FA de, Ramos AP, Millán JL, Bottini M, Ciancaglini P. Ultrasensitive diamond microelectrode application in the detection of Ca2+ transport by annexinA5-containing nanostructured liposomes [Internet]. Biosensors. 2022 ; 12( 7): 1-15.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.3390/bios12070525
Trabalho de evento-resumo
Platinum micromachining using femtosecond laser pulses (2022)
Rocha, Luiz Eduardo Raphael da; Mendonça, Cleber Renato ; Paula, Kelly Tasso de
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: LASER, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ÓPTICA NÃO LINEAR, MICROELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS, PLATINA
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ABNT
ROCHA, Luiz Eduardo Raphael da e MENDONÇA, Cleber Renato e PAULA, Kelly Tasso de. Platinum micromachining using femtosecond laser pulses. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/74515f59-ef86-4839-a86f-7bfe841837ae/3119502.pdf. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Rocha, L. E. R. da, Mendonça, C. R., & Paula, K. T. de. (2022). Platinum micromachining using femtosecond laser pulses. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/74515f59-ef86-4839-a86f-7bfe841837ae/3119502.pdf
NLM
Rocha LER da, Mendonça CR, Paula KT de. Platinum micromachining using femtosecond laser pulses [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/74515f59-ef86-4839-a86f-7bfe841837ae/3119502.pdf
Vancouver
Rocha LER da, Mendonça CR, Paula KT de. Platinum micromachining using femtosecond laser pulses [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/74515f59-ef86-4839-a86f-7bfe841837ae/3119502.pdf
Artigo de periodico
Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications (2022)
Frutuoso, Tadeu M; Lé, João Eduardo Gentil; Berthoud, Yoann; Pinheiro, Julio M; Margalef-Rovira, Marc; Ferrari, Philippe; Rehder, Gustavo Pamplona ; Serrano, Ariana Maria da Conceição Lacorte Caniato
Source: IEEE Microwave and Wireless Components Letters. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, ONDAS ELETROMAGNÉTICAS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, TRANSFORMADORES E REATORES
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ABNT
FRUTUOSO, Tadeu M et al. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, v. 32, n. 10, p. 1171-1174, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Frutuoso, T. M., Lé, J. E. G., Berthoud, Y., Pinheiro, J. M., Margalef-Rovira, M., Ferrari, P., et al. (2022). Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 32( 10), 1171-1174. doi:10.1109/LMWC.2022.3159096
NLM
Frutuoso TM, Lé JEG, Berthoud Y, Pinheiro JM, Margalef-Rovira M, Ferrari P, Rehder GP, Serrano AM da CLC. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications [Internet]. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2022 ; 32( 10): 1171-1174.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096
Vancouver
Frutuoso TM, Lé JEG, Berthoud Y, Pinheiro JM, Margalef-Rovira M, Ferrari P, Rehder GP, Serrano AM da CLC. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications [Internet]. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2022 ; 32( 10): 1171-1174.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096
Trabalho de evento
High-speed imaging of flow boiling in asymmetric dual-V microchannels with tapered manifold (2022)
Moreira, Débora Carneiro; Santos, Jorge Nicolau dos; Nascimento Junior, Valter Salles do; Kandlikar, Satish G; Ribatski, Gherhardt
Source: Proceedings of ENCIT. Conference titles: Brazilian Congress of Thermal Sciences and Engineering. Unidade: EESC
Subjects: TRANSFERÊNCIA DE CALOR, MICROELETRÔNICA, ESCOAMENTO BIFÁSICO, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
MOREIRA, Débora Carneiro et al. High-speed imaging of flow boiling in asymmetric dual-V microchannels with tapered manifold. 2022, Anais.. Rio de Janeiro, RJ: ABCM, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6b68afc2-e33b-4aa3-a726-23b7fe917054/PROD_26259_SYSNO_3153055%20%281%29.pdf. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Moreira, D. C., Santos, J. N. dos, Nascimento Junior, V. S. do, Kandlikar, S. G., & Ribatski, G. (2022). High-speed imaging of flow boiling in asymmetric dual-V microchannels with tapered manifold. In Proceedings of ENCIT. Rio de Janeiro, RJ: ABCM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6b68afc2-e33b-4aa3-a726-23b7fe917054/PROD_26259_SYSNO_3153055%20%281%29.pdf
NLM
Moreira DC, Santos JN dos, Nascimento Junior VS do, Kandlikar SG, Ribatski G. High-speed imaging of flow boiling in asymmetric dual-V microchannels with tapered manifold [Internet]. Proceedings of ENCIT. 2022 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6b68afc2-e33b-4aa3-a726-23b7fe917054/PROD_26259_SYSNO_3153055%20%281%29.pdf
Vancouver
Moreira DC, Santos JN dos, Nascimento Junior VS do, Kandlikar SG, Ribatski G. High-speed imaging of flow boiling in asymmetric dual-V microchannels with tapered manifold [Internet]. Proceedings of ENCIT. 2022 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6b68afc2-e33b-4aa3-a726-23b7fe917054/PROD_26259_SYSNO_3153055%20%281%29.pdf
Artigo de periodico
Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados (2022)
Mennucci, Marina Martins ; Machado, Tatiana Mallet ; Vivier, Vincent ; Melo, Hercílio Gomes de ; Ferrari, Jean Vicente
Source: Revista Matéria. Unidade: EP
Subjects: FLOTAÇÃO, MINERAIS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
MENNUCCI, Marina Martins et al. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados. Revista Matéria, v. 27, n. artigo e13151, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Mennucci, M. M., Machado, T. M., Vivier, V., Melo, H. G. de, & Ferrari, J. V. (2022). Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados. Revista Matéria, 27( artigo e13151). doi:10.1590/S1517-707620220001.1351
NLM
Mennucci MM, Machado TM, Vivier V, Melo HG de, Ferrari JV. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados [Internet]. Revista Matéria. 2022 ; 27( artigo e13151):[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351
Vancouver
Mennucci MM, Machado TM, Vivier V, Melo HG de, Ferrari JV. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados [Internet]. Revista Matéria. 2022 ; 27( artigo e13151):[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351
Trabalho de evento-resumo
High aspect ratio silicon microchannel definition via ICP plasma etching using SF6/Ar as gas mixture (2021)
Alvarez, H. S.; Cioldim, F. H.; Silva, A. R.; Diniz, J. A.
Source: Abstracts. Conference titles: Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Technology - SEMINATEC. Unidade: EESC
Subjects: TRANSFERÊNCIA DE CALOR, CIRCUITOS INTEGRADOS, MICROELETRÔNICA, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
ALVAREZ, H. S. et al. High aspect ratio silicon microchannel definition via ICP plasma etching using SF6/Ar as gas mixture. 2021, Anais.. São Paulo, SP: SBMicro, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/af37cdf0-62e5-4e55-90a1-799f83a30bb5/PROD_26257_SYSNO_3153042.pdf. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Alvarez, H. S., Cioldim, F. H., Silva, A. R., & Diniz, J. A. (2021). High aspect ratio silicon microchannel definition via ICP plasma etching using SF6/Ar as gas mixture. In Abstracts. São Paulo, SP: SBMicro. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/af37cdf0-62e5-4e55-90a1-799f83a30bb5/PROD_26257_SYSNO_3153042.pdf
NLM
Alvarez HS, Cioldim FH, Silva AR, Diniz JA. High aspect ratio silicon microchannel definition via ICP plasma etching using SF6/Ar as gas mixture [Internet]. Abstracts. 2021 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/af37cdf0-62e5-4e55-90a1-799f83a30bb5/PROD_26257_SYSNO_3153042.pdf
Vancouver
Alvarez HS, Cioldim FH, Silva AR, Diniz JA. High aspect ratio silicon microchannel definition via ICP plasma etching using SF6/Ar as gas mixture [Internet]. Abstracts. 2021 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/af37cdf0-62e5-4e55-90a1-799f83a30bb5/PROD_26257_SYSNO_3153042.pdf
Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 07 set. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Apresentacao sonora/cenica/entrevista
Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] (2020)
Abramo, L. Raul ; Nussenzveig, Paulo
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, FOTÔNICA, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, FÍSICA, DIVULGAÇÃO CIENTÍFICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABRAMO, L. Raul e NUSSENZVEIG, Paulo. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. . São Paulo: USP. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be. Acesso em: 07 set. 2024. , 2020
APA
Abramo, L. R., & Nussenzveig, P. (2020). Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. São Paulo: USP. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
NLM
Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
Vancouver
Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
Artigo de periodico
Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation (2020)
Andrade, Marco Aurélio Brizzotti ; Ramos, Tiago S.; Adamowski, Júlio Cezar ; Marzo, Asier
Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Subjects: ACÚSTICA, ACÚSTICA, MICROELETRÔNICA, DINÂMICA DOS FLUÍDOS COMPUTACIONAL, MÉTODOS NUMÉRICOS EM DINÂMICA DE FLUÍDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Marco Aurélio Brizzotti et al. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation. Applied Physics Letters, v. 116, n. 5, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5138598. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Andrade, M. A. B., Ramos, T. S., Adamowski, J. C., & Marzo, A. (2020). Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation. Applied Physics Letters, 116( 5). doi:10.1063/1.5138598
NLM
Andrade MAB, Ramos TS, Adamowski JC, Marzo A. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 5):[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5138598
Vancouver
Andrade MAB, Ramos TS, Adamowski JC, Marzo A. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 5):[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5138598
Trabalho de evento
Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos (2018)
Lanaro, Lucca Real Bispo; Cerón Muñoz, Hernán Darío
Source: Anais. Conference titles: Simpósio do Programa de Pós-Graduação em Engenharia Mecânica - SIPGEM. Unidade: EESC
Subjects: INTERNET DAS COISAS, TELEMETRIA, MICROELETRÔNICA, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
LANARO, Lucca Real Bispo e CERÓN MUÑOZ, Hernán Darío. Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos. 2018, Anais.. São Carlos, SP: EESC-USP, 2018. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SiPGEM/iiisipgem/paper/view/1370/829. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Lanaro, L. R. B., & Cerón Muñoz, H. D. (2018). Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos. In Anais. São Carlos, SP: EESC-USP. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SiPGEM/iiisipgem/paper/view/1370/829
NLM
Lanaro LRB, Cerón Muñoz HD. Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos [Internet]. Anais. 2018 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SiPGEM/iiisipgem/paper/view/1370/829
Vancouver
Lanaro LRB, Cerón Muñoz HD. Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos [Internet]. Anais. 2018 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SiPGEM/iiisipgem/paper/view/1370/829
Parte de monografia/livro
Three-dimensional microstructures for biological applications (2017)
Otuka, Adriano J. G.; Tribuzi, Vinicius; Correa, Daniel S.; Mendonça, Cleber Renato
Source: Multiphoton lithography: techniques, materials and applications. Unidade: IFSC
Subjects: MICROELETRÔNICA, BIOLOGIA, POLIMERIZAÇÃO
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ABNT
OTUKA, Adriano J. G. et al. Three-dimensional microstructures for biological applications. Multiphoton lithography: techniques, materials and applications. Tradução . Weinheim: Wiley-VCH Verlag, 2017. p. 386 . Disponível em: https://doi.org/10.1002/9783527682676.ch14. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Otuka, A. J. G., Tribuzi, V., Correa, D. S., & Mendonça, C. R. (2017). Three-dimensional microstructures for biological applications. In Multiphoton lithography: techniques, materials and applications (p. 386 ). Weinheim: Wiley-VCH Verlag. doi:10.1002/9783527682676.ch14
NLM
Otuka AJG, Tribuzi V, Correa DS, Mendonça CR. Three-dimensional microstructures for biological applications [Internet]. In: Multiphoton lithography: techniques, materials and applications. Weinheim: Wiley-VCH Verlag; 2017. p. 386 .[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1002/9783527682676.ch14
Vancouver
Otuka AJG, Tribuzi V, Correa DS, Mendonça CR. Three-dimensional microstructures for biological applications [Internet]. In: Multiphoton lithography: techniques, materials and applications. Weinheim: Wiley-VCH Verlag; 2017. p. 386 .[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1002/9783527682676.ch14
Artigo de periodico
The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Collaert, Nadine ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 64, n. 9, p. 3595-3600, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Collaert, N., Claeys, C., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2017). The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 64( 9), 3595-3600. doi:10.1109/ted.2017.2721110
NLM
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Vancouver
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Artigo de periodico
Comparative measurement and evaluation of the quenching intensity of palm oil, canola oil and a conventional petroleum oil quenchant based on temperature gradient measurements (2017)
Matijevic, Bozidar; Liscic, Bozidar; Totten, George Edward; Canale, Lauralice de Campos Franceschini
Source: Materials Performance and Characterization. Unidade: EESC
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSFERÊNCIA DE CALOR, ÓLEOS E GORDURAS VEGETAIS COMESTÍVEIS, TRATAMENTO TÉRMICO, MATERIAIS
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ABNT
MATIJEVIC, Bozidar et al. Comparative measurement and evaluation of the quenching intensity of palm oil, canola oil and a conventional petroleum oil quenchant based on temperature gradient measurements. Materials Performance and Characterization, v. 6, n. 5, p. Paper MPC20170041 757-776, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1520/MPC20170041. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Matijevic, B., Liscic, B., Totten, G. E., & Canale, L. de C. F. (2017). Comparative measurement and evaluation of the quenching intensity of palm oil, canola oil and a conventional petroleum oil quenchant based on temperature gradient measurements. Materials Performance and Characterization, 6( 5), Paper MPC20170041 757-776. doi:10.1520/MPC20170041
NLM
Matijevic B, Liscic B, Totten GE, Canale L de CF. Comparative measurement and evaluation of the quenching intensity of palm oil, canola oil and a conventional petroleum oil quenchant based on temperature gradient measurements [Internet]. Materials Performance and Characterization. 2017 ; 6( 5): Paper MPC20170041 757-776.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1520/MPC20170041
Vancouver
Matijevic B, Liscic B, Totten GE, Canale L de CF. Comparative measurement and evaluation of the quenching intensity of palm oil, canola oil and a conventional petroleum oil quenchant based on temperature gradient measurements [Internet]. Materials Performance and Characterization. 2017 ; 6( 5): Paper MPC20170041 757-776.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1520/MPC20170041
Trabalho de evento-resumo
Printed organic field-effect transistors: fabrication and application in digital logic inverters (2017)
Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Printed organic field-effect transistors: fabrication and application in digital logic inverters. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BNZZ. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2017). Printed organic field-effect transistors: fabrication and application in digital logic inverters. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BNZZ
NLM
Stefanelo JC, Faria RM. Printed organic field-effect transistors: fabrication and application in digital logic inverters [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BNZZ
Vancouver
Stefanelo JC, Faria RM. Printed organic field-effect transistors: fabrication and application in digital logic inverters [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BNZZ
Artigo de periodico
Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Mitard Jerome; Agopian, Paula Ghedini Der ; Langer, Robert; Witters, Liesbeth J; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 10, p. 4031-4037, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard Jerome,, Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 10), 4031-4037. doi:10.1109/ted.2016.2598288
NLM
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
Vancouver
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
Artigo de periodico
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K (2016)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 12, p. 124001, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Vandooren, A., Rooyackers, R., Mols, Y., Alian, A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, 31( 12), 124001. doi:10.1088/0268-1242/31/12/124001
NLM
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Vancouver
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Artigo de periodico
Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Langer, Robert; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 11, p. 114002 , 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Agopian, P. G. D., Simoen, E., Langer, R., Collaert, N., Thean, A., et al. (2016). Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, 31( 11), 114002 . doi:10.1088/0268-1242/31/11/114002
NLM
Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002
Vancouver
Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002

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