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Trabalho de evento
Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)
Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
NLM
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Vancouver
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Trabalho de evento
Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)
Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
NLM
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Vancouver
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 09 out. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Dissertação (Mestrado)
Desenvolvimento de transmissores de pressão com sensor piezoresistivo e protocolo de comunicação HART (2014)
Tellez Porras, Deivid Efrain; Charry Rodriguez, Edgar (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SENSOR, COMUNICAÇÃO DIGITAL
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ABNT
TELLEZ PORRAS, Deivid Efrain. Desenvolvimento de transmissores de pressão com sensor piezoresistivo e protocolo de comunicação HART. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-171810/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Tellez Porras, D. E. (2014). Desenvolvimento de transmissores de pressão com sensor piezoresistivo e protocolo de comunicação HART (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-171810/
NLM
Tellez Porras DE. Desenvolvimento de transmissores de pressão com sensor piezoresistivo e protocolo de comunicação HART [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-171810/
Vancouver
Tellez Porras DE. Desenvolvimento de transmissores de pressão com sensor piezoresistivo e protocolo de comunicação HART [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-171810/
Dissertação (Mestrado)
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
NLM
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Vancouver
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Trabalho de evento
Tunneling currents in nanoscale high-κ MOS structures (2011)
Vercik, Andrés
Source: Proceedings. Conference titles: MRS Proceedings. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
VERCIK, Andrés. Tunneling currents in nanoscale high-κ MOS structures. 2011, Anais.. Cambridge: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2011. Disponível em: https://doi.org/10.1557/opl.2011.385. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Vercik, A. (2011). Tunneling currents in nanoscale high-κ MOS structures. In Proceedings. Cambridge: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo. doi:10.1557/opl.2011.385
NLM
Vercik A. Tunneling currents in nanoscale high-κ MOS structures [Internet]. Proceedings. 2011 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1557/opl.2011.385
Vancouver
Vercik A. Tunneling currents in nanoscale high-κ MOS structures [Internet]. Proceedings. 2011 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1557/opl.2011.385
Tese (Doutorado)
Estudos de tratamentos superficiais em substratos de óxidos transparentes condutivos para a fabricação de dispositivos poliméricos eletroluminescentes (2009)
Santos, Emerson Roberto; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Emerson Roberto. Estudos de tratamentos superficiais em substratos de óxidos transparentes condutivos para a fabricação de dispositivos poliméricos eletroluminescentes. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032009-175210/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Santos, E. R. (2009). Estudos de tratamentos superficiais em substratos de óxidos transparentes condutivos para a fabricação de dispositivos poliméricos eletroluminescentes (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032009-175210/
NLM
Santos ER. Estudos de tratamentos superficiais em substratos de óxidos transparentes condutivos para a fabricação de dispositivos poliméricos eletroluminescentes [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032009-175210/
Vancouver
Santos ER. Estudos de tratamentos superficiais em substratos de óxidos transparentes condutivos para a fabricação de dispositivos poliméricos eletroluminescentes [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032009-175210/
Dissertação (Mestrado)
Calibração e compensação de sensores de pressão piezorresistivos (2009)
Gomes, Alex Fukunaga; Charry Rodriguez, Edgar (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SENSOR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Alex Fukunaga. Calibração e compensação de sensores de pressão piezorresistivos. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08092010-121153/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Gomes, A. F. (2009). Calibração e compensação de sensores de pressão piezorresistivos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08092010-121153/
NLM
Gomes AF. Calibração e compensação de sensores de pressão piezorresistivos [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08092010-121153/
Vancouver
Gomes AF. Calibração e compensação de sensores de pressão piezorresistivos [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08092010-121153/
Dissertação (Mestrado)
Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (2009)
Amaro, Jefferson Oliveira; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, TRANSISTORES (MODELAGEM), CIRCUITOS ANALÓGICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMARO, Jefferson Oliveira. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Amaro, J. O. (2009). Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
NLM
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
Vancouver
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
Artigo de periodico
Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Artigo de periodico
Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)
Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, A. A.; Morais, P C
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003
NLM
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Vancouver
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Artigo de periodico
The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes (2005)
Camps, I.; Makler, S. S.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.
Source: Solid State Communications. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPS, I. et al. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 241-246, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Camps, I., Makler, S. S., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Marques, G. E., & Brasil, M. J. S. P. (2005). The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, 135( 4), 241-246. doi:10.1016/j.ssc.2005.04.026
NLM
Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026
Vancouver
Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026
Artigo de periodico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, A. A.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Dissertação (Mestrado)
Confecção e caracterização de filmes finos de polianilina para aplicações em dispositivos eletrônicos (2005)
Colella, Enia Mara de Lima; Andrade, Adnei Melges de (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
COLELLA, Enia Mara de Lima. Confecção e caracterização de filmes finos de polianilina para aplicações em dispositivos eletrônicos. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Colella, E. M. de L. (2005). Confecção e caracterização de filmes finos de polianilina para aplicações em dispositivos eletrônicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Colella EM de L. Confecção e caracterização de filmes finos de polianilina para aplicações em dispositivos eletrônicos. 2005 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Colella EM de L. Confecção e caracterização de filmes finos de polianilina para aplicações em dispositivos eletrônicos. 2005 ;[citado 2024 out. 09 ]
Relatorio tecnico
Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device (2003)
Neves, José Antônio Rocha das; Dirani, Ely Antonio Tadeu (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NEVES, José Antônio Rocha das. Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 09 out. 2024. , 2003
APA
Neves, J. A. R. das. (2003). Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. São Paulo: EPUSP.
NLM
Neves JAR das. Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Neves JAR das. Low operating voltage of an pled structure in ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
Dissertação (Mestrado)
Tratamento de filmes de óxido de índio e estanho (ITO) para utilização em diodos poliméricos emissores de luz (2003)
Santos, Emerson Roberto; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Emerson Roberto. Tratamento de filmes de óxido de índio e estanho (ITO) para utilização em diodos poliméricos emissores de luz. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Santos, E. R. (2003). Tratamento de filmes de óxido de índio e estanho (ITO) para utilização em diodos poliméricos emissores de luz (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Santos ER. Tratamento de filmes de óxido de índio e estanho (ITO) para utilização em diodos poliméricos emissores de luz. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Santos ER. Tratamento de filmes de óxido de índio e estanho (ITO) para utilização em diodos poliméricos emissores de luz. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo de dispositivos poliméricos eletroluminescentes (2003)
Neves, José Antônio Rocha das; Dirani, Ely Antonio Tadeu (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NEVES, José Antônio Rocha das. Estudo de dispositivos poliméricos eletroluminescentes. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Neves, J. A. R. das. (2003). Estudo de dispositivos poliméricos eletroluminescentes (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Neves JAR das. Estudo de dispositivos poliméricos eletroluminescentes. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]
Vancouver
Neves JAR das. Estudo de dispositivos poliméricos eletroluminescentes. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ]

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