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Artigo de periodico
Role of Jahn-Teller distortion in the relative stability between the black and yellow phases of transition metal doped CsSnI3 perovskites (2024)
Chagas, Lucas G. ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Lima, Matheus P
Source: Physical Review B. Unidade: IQSC
Subjects: FÍSICA, MATERIAIS, MINERAIS
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ABNT
CHAGAS, Lucas G. e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e LIMA, Matheus P. Role of Jahn-Teller distortion in the relative stability between the black and yellow phases of transition metal doped CsSnI3 perovskites. Physical Review B, v. 109, p. 014106-1-014106-11, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.014106. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Chagas, L. G., Silva, J. L. F. da, & Lima, M. P. (2024). Role of Jahn-Teller distortion in the relative stability between the black and yellow phases of transition metal doped CsSnI3 perovskites. Physical Review B, 109, 014106-1-014106-11. doi:10.1103/PhysRevB.109.014106
NLM
Chagas LG, Silva JLF da, Lima MP. Role of Jahn-Teller distortion in the relative stability between the black and yellow phases of transition metal doped CsSnI3 perovskites [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109 014106-1-014106-11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.014106
Vancouver
Chagas LG, Silva JLF da, Lima MP. Role of Jahn-Teller distortion in the relative stability between the black and yellow phases of transition metal doped CsSnI3 perovskites [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109 014106-1-014106-11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.014106
Artigo de periodico
Dephasing enhanced transport in boundary-driven quasiperiodic chains (2021)
Lacerda, Artur Machado; Goold, John; Landi, Gabriel Teixeira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LACERDA, Artur Machado e GOOLD, John e LANDI, Gabriel Teixeira. Dephasing enhanced transport in boundary-driven quasiperiodic chains. Physical Review B, v. 104.174203, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.174203. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lacerda, A. M., Goold, J., & Landi, G. T. (2021). Dephasing enhanced transport in boundary-driven quasiperiodic chains. Physical Review B, 104.174203. doi:10.1103/PhysRevB.104.174203
NLM
Lacerda AM, Goold J, Landi GT. Dephasing enhanced transport in boundary-driven quasiperiodic chains [Internet]. Physical Review B. 2021 ; 104.174203[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.174203
Vancouver
Lacerda AM, Goold J, Landi GT. Dephasing enhanced transport in boundary-driven quasiperiodic chains [Internet]. Physical Review B. 2021 ; 104.174203[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.174203
Artigo de periodico
Anisotropic magnetic excitations and incipient Neel order in Ba(Fe1-xMnx)(2)As-2 (2019)
Garcia, Fernando Assis ; Ivashko, Oleh; McNally, Daniel ; Das, Lakshmi; Piva, Mario Moda ; Adriano, C.; Pagliuso, Pascoal ; Chang, Johan ; Schmitt, Thorsten; Monney, Claude
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, SUPERCONDUTIVIDADE, ESPALHAMENTO DE RAIOS X A BAIXOS ÂNGULOS, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
GARCIA, Fernando Assis et al. Anisotropic magnetic excitations and incipient Neel order in Ba(Fe1-xMnx)(2)As-2. Physical Review B, v. 99, n. 11, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.99.115118. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Garcia, F. A., Ivashko, O., McNally, D., Das, L., Piva, M. M., Adriano, C., et al. (2019). Anisotropic magnetic excitations and incipient Neel order in Ba(Fe1-xMnx)(2)As-2. Physical Review B, 99( 11). doi:10.1103/PhysRevB.99.115118
NLM
Garcia FA, Ivashko O, McNally D, Das L, Piva MM, Adriano C, Pagliuso P, Chang J, Schmitt T, Monney C. Anisotropic magnetic excitations and incipient Neel order in Ba(Fe1-xMnx)(2)As-2 [Internet]. Physical Review B. 2019 ; 99( 11):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.99.115118
Vancouver
Garcia FA, Ivashko O, McNally D, Das L, Piva MM, Adriano C, Pagliuso P, Chang J, Schmitt T, Monney C. Anisotropic magnetic excitations and incipient Neel order in Ba(Fe1-xMnx)(2)As-2 [Internet]. Physical Review B. 2019 ; 99( 11):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.99.115118
Artigo de periodico
Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices (2005)
Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Camps, I.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.; Makler, Susana S.
Source: Physical Review B. Unidade: FZEA
Subjects: FÍSICA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
VERCIK, Andrés et al. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review B, v. 71, n. 7, p. 075310/1-075310/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Camps, I., Marques, G. E., Brasil, M. J. S. P., & Makler, S. S. (2005). Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review B, 71( 7), 075310/1-075310/6. doi:10.1103/physrevb.71.075310
NLM
Vercik A, Galvão Gobato Y, Camps I, Marques GE, Brasil MJSP, Makler SS. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 7): 075310/1-075310/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310
Vancouver
Vercik A, Galvão Gobato Y, Camps I, Marques GE, Brasil MJSP, Makler SS. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 7): 075310/1-075310/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310
Artigo de periodico
Local magnetic properties of Co grains in bulk Ag and Cu: a first-principles study (2001)
Nogueira, R N; Petrilli, Helena Maria
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, CLUSTERS
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ABNT
NOGUEIRA, R N e PETRILLI, Helena Maria. Local magnetic properties of Co grains in bulk Ag and Cu: a first-principles study. Physical Review B, v. 63, n. 1, p. 2405/1-2405/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.012405. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Nogueira, R. N., & Petrilli, H. M. (2001). Local magnetic properties of Co grains in bulk Ag and Cu: a first-principles study. Physical Review B, 63( 1), 2405/1-2405/4. doi:10.1103/physrevb.63.012405
NLM
Nogueira RN, Petrilli HM. Local magnetic properties of Co grains in bulk Ag and Cu: a first-principles study [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 1): 2405/1-2405/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.012405
Vancouver
Nogueira RN, Petrilli HM. Local magnetic properties of Co grains in bulk Ag and Cu: a first-principles study [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 1): 2405/1-2405/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.012405
Artigo de periodico
Magnetic behavior of thin Cr layers sandwiched by Fe (1999)
Klautau, A. B.; Legoas, S. B.; Muniz, R. B.; Frota-Pessoa, Sonia
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
KLAUTAU, A. B. et al. Magnetic behavior of thin Cr layers sandwiched by Fe. Physical Review B, v. 60, n. 5, p. 3421-3427, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.3421. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Klautau, A. B., Legoas, S. B., Muniz, R. B., & Frota-Pessoa, S. (1999). Magnetic behavior of thin Cr layers sandwiched by Fe. Physical Review B, 60( 5), 3421-3427. doi:10.1103/physrevb.60.3421
NLM
Klautau AB, Legoas SB, Muniz RB, Frota-Pessoa S. Magnetic behavior of thin Cr layers sandwiched by Fe [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 5): 3421-3427.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.3421
Vancouver
Klautau AB, Legoas SB, Muniz RB, Frota-Pessoa S. Magnetic behavior of thin Cr layers sandwiched by Fe [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 5): 3421-3427.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.3421
Artigo de periodico
Theoretical study of hyperfine and local magnetic properties of Co and Fe clusters in fcc Ag hosts (1999)
Nogueira, R. N.; Petrilli, Helena Maria
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOGUEIRA, R. N. e PETRILLI, Helena Maria. Theoretical study of hyperfine and local magnetic properties of Co and Fe clusters in fcc Ag hosts. Physical Review B, v. 60, n. 6, p. 4120-4125, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4120. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Nogueira, R. N., & Petrilli, H. M. (1999). Theoretical study of hyperfine and local magnetic properties of Co and Fe clusters in fcc Ag hosts. Physical Review B, 60( 6), 4120-4125. doi:10.1103/physrevb.60.4120
NLM
Nogueira RN, Petrilli HM. Theoretical study of hyperfine and local magnetic properties of Co and Fe clusters in fcc Ag hosts [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 6): 4120-4125.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4120
Vancouver
Nogueira RN, Petrilli HM. Theoretical study of hyperfine and local magnetic properties of Co and Fe clusters in fcc Ag hosts [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 6): 4120-4125.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4120
Artigo de periodico
Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells (1999)
Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, J. B. B. e MENESES, E. A. e SILVA, Euzi Conceicao Fernandes da. Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells. Physical Review B, v. 60, n. 3, p. 1519-1522, 1999Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Silva, E. C. F. da. (1999). Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells. Physical Review B, 60( 3), 1519-1522.
NLM
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells. Physical Review B. 1999 ; 60( 3): 1519-1522.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells. Physical Review B. 1999 ; 60( 3): 1519-1522.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Kosterlitz-Thouless transition in a quantum spin-1 Heisenberg chain (1999)
Neirotti, J. P.; Oliveira, Mário José de
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NEIROTTI, J. P. e OLIVEIRA, Mário José de. Kosterlitz-Thouless transition in a quantum spin-1 Heisenberg chain. Physical Review B, v. 59, n. 5, p. 3303-3305, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3303. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Neirotti, J. P., & Oliveira, M. J. de. (1999). Kosterlitz-Thouless transition in a quantum spin-1 Heisenberg chain. Physical Review B, 59( 5), 3303-3305. doi:10.1103/physrevb.59.3303
NLM
Neirotti JP, Oliveira MJ de. Kosterlitz-Thouless transition in a quantum spin-1 Heisenberg chain [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 5): 3303-3305.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3303
Vancouver
Neirotti JP, Oliveira MJ de. Kosterlitz-Thouless transition in a quantum spin-1 Heisenberg chain [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 5): 3303-3305.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3303
Artigo de periodico
Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon (1999)
Capaz, R. B.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Kimerling, L. C.; Cho, K; Joannopoulos, J. D.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPAZ, R. B. et al. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4898-4900, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (1999). Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Physical Review B, 59( 7), 4898-4900. doi:10.1103/physrevb.59.4898
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4898-4900.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4898-4900.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898
Artigo de periodico
'['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP (1999)
Schmidt, Tome Mauro; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto ; Mora, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SCHMIDT, Tome Mauro et al. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B, v. 60, n. 24, p. 16475-16478, 1999Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mora, R. (1999). '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B, 60( 24), 16475-16478.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mora R. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B. 1999 ; 60( 24): 16475-16478.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mora R. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B. 1999 ; 60( 24): 16475-16478.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)
Levine, Alexandre ; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos ; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, Alexandre et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634
NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Artigo de periodico
Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition (1999)
Miwa, R. H.; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R. H. e FERRAZ, A. C. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition. Physical Review B, v. 59, n. 19, p. 12499-12504, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1999). Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition. Physical Review B, 59( 19), 12499-12504. doi:10.1103/physrevb.59.12499
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 19): 12499-12504.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 19): 12499-12504.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499
Artigo de periodico
Point defect interactions with extended defects in semiconductors (1999)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Point defect interactions with extended defects in semiconductors. Physical Review B, v. 60, n. 7, p. 4711-4714, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Point defect interactions with extended defects in semiconductors. Physical Review B, 60( 7), 4711-4714. doi:10.1103/physrevb.60.4711
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Point defect interactions with extended defects in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 7): 4711-4714.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Point defect interactions with extended defects in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 60( 7): 4711-4714.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.60.4711
Artigo de periodico
Field-theoretic calculation of critical exponents for the Lifshitz point (1999)
Mergulhao Junior, Carlos; Carneiro, Carlos Eugenio Imbassahy
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MERGULHAO JUNIOR, Carlos e CARNEIRO, Carlos Eugenio Imbassahy. Field-theoretic calculation of critical exponents for the Lifshitz point. Physical Review B, v. 59, n. 21, p. 13954-13964, 1999Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mergulhao Junior, C., & Carneiro, C. E. I. (1999). Field-theoretic calculation of critical exponents for the Lifshitz point. Physical Review B, 59( 21), 13954-13964.
NLM
Mergulhao Junior C, Carneiro CEI. Field-theoretic calculation of critical exponents for the Lifshitz point. Physical Review B. 1999 ; 59( 21): 13954-13964.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Mergulhao Junior C, Carneiro CEI. Field-theoretic calculation of critical exponents for the Lifshitz point. Physical Review B. 1999 ; 59( 21): 13954-13964.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Single-particle relaxation time in a spatially fluctuating magnetic field (1999)
Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A. A.; Moshegov, N. T.; Kudryashev, V. M.; Toporov, A. I.; Nastaushev, Yu V.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Single-particle relaxation time in a spatially fluctuating magnetic field. Physical Review B, v. 59, n. 8, p. 5711-5716, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.5711. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., Kudryashev, V. M., Toporov, A. I., & Nastaushev, Y. V. (1999). Single-particle relaxation time in a spatially fluctuating magnetic field. Physical Review B, 59( 8), 5711-5716. doi:10.1103/physrevb.59.5711
NLM
Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toporov AI, Nastaushev YV. Single-particle relaxation time in a spatially fluctuating magnetic field [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 8): 5711-5716.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.5711
Vancouver
Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toporov AI, Nastaushev YV. Single-particle relaxation time in a spatially fluctuating magnetic field [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 8): 5711-5716.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.5711
Artigo de periodico
Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs (1999)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs. Physical Review B, v. 59, n. 4, p. 3008-3014, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs. Physical Review B, 59( 4), 3008-3014. doi:10.1103/physrevb.59.3008
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 4): 3008-3014.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 4): 3008-3014.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008
Artigo de periodico
Field-theoretic approach to the Lifshitz point (1998)
Mergulhão Jr, C; Carneiro, Carlos Eugenio Imbassahy
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MERGULHÃO JR, C e CARNEIRO, Carlos Eugenio Imbassahy. Field-theoretic approach to the Lifshitz point. Physical Review B, v. 58, n. 10, p. 6047-6056, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6047. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mergulhão Jr, C., & Carneiro, C. E. I. (1998). Field-theoretic approach to the Lifshitz point. Physical Review B, 58( 10), 6047-6056. doi:10.1103/physrevb.58.6047
NLM
Mergulhão Jr C, Carneiro CEI. Field-theoretic approach to the Lifshitz point [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 10): 6047-6056.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6047
Vancouver
Mergulhão Jr C, Carneiro CEI. Field-theoretic approach to the Lifshitz point [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 10): 6047-6056.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6047
Artigo de periodico
Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors (1998)
De Groote, J J; Santos, A S; Masili, Mauro; Hornos, José Eduardo Martinho
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA, FÍSICA MATEMÁTICA, FÍSICA MODERNA
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ABNT
DE GROOTE, J J et al. Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors. Physical Review B, v. 58, n. 16, p. 10383-10388, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10383. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
De Groote, J. J., Santos, A. S., Masili, M., & Hornos, J. E. M. (1998). Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors. Physical Review B, 58( 16), 10383-10388. doi:10.1103/physrevb.58.10383
NLM
De Groote JJ, Santos AS, Masili M, Hornos JEM. Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10383-10388.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10383
Vancouver
De Groote JJ, Santos AS, Masili M, Hornos JEM. Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10383-10388.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10383
Artigo de periodico
Bethe-Peierls approximation for the triangular Ising antiferromagnet in a field (1997)
Tamashiro, Mário Noboru; Salinas, S. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAMASHIRO, Mário Noboru e SALINAS, S. R. Bethe-Peierls approximation for the triangular Ising antiferromagnet in a field. Physical Review B, v. 56, n. 13, p. 8241-8247, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.8241. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Tamashiro, M. N., & Salinas, S. R. (1997). Bethe-Peierls approximation for the triangular Ising antiferromagnet in a field. Physical Review B, 56( 13), 8241-8247. doi:10.1103/physrevb.56.8241
NLM
Tamashiro MN, Salinas SR. Bethe-Peierls approximation for the triangular Ising antiferromagnet in a field [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 56( 13): 8241-8247.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.8241
Vancouver
Tamashiro MN, Salinas SR. Bethe-Peierls approximation for the triangular Ising antiferromagnet in a field [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 56( 13): 8241-8247.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.8241

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